Samsung, akıllı telefonlar için geliştirdiği 512 GB eUFS çipini duyurdu.
Samsung Hafıza Birimi Genel Müdür Yardımcısı Jaesoo Han, yeni eUFS çiplerini duyurdu. 512 GB kapasiteli çiplerin yeni nesil akıllı telefonlar için en iyi çözüm olduğunu belirten Han, microSD kart kullanımı sebebiyle düşen performansın önüne geçmeyi istediklerini söyledi. 512 GB’lik hafıza yongaları sayesinde microSD kullanımına gerek kalmayabilir.
8 tane 64 katmanlı 512 Gb V-NAND yongasını ve kontrolcüyü içeren 512 GB eUFS çipi, 860 MB/s okuma ve 255 MB/s yazma gerçekleştirebiliyor. Yeni devre tasarımı ve güç yönetim teknolojileriyle batarya performansını olumlu yönde etkileyeceği belirtilen depolama çipleri, 42.000 IOPS rastgele okuma ve 40.000 IOPS rastgele yazma performansına ulaşabiliyor. Samsung, 512 GB’lik depolama biriminin 130 tane 10 dakikalık 4K video saklayabildiğini belirtiyor. Tabii farklı bitrate videolar daha farklı sonuçlar verebilir.
Samsung’un bu yeni hafıza yongalarını ilk olarak kendi akıllı telefonlarında kullanması bekleniyor. Bu telefon Galaxy S9 ya da bir süredir söylentileri dolaşan katlanabilir Galaxy X olabilir. İlk hangi modelde kullanılırsa kullanılsın, performansıyla ve sağladığı alanla büyük bir avantaj sağlayacağı aşikar.
