Samsung LPDDR5 Bellek Yongalarını Duyurdu

In Haber by Ruşen GöbelLeave a Comment

Samsung’un 8 Gb yoğunluktaki bellek yongaları, 10 nanometre teknolojisiyle üretiliyor.

Samsung, akıllı telefonlar için geliştirdiği düşük güç tüketimine sahip LPDDR5 belleklerin duyurusunu yaptı. 10 nm teknolojisiyle üretilen yongalar, yapay zeka ve 5G için gerekli bellek altyapısını sağlayacak.

8 Gb yoğunluktaki bellek yongaları, 6.4 Gbps ve 5,5 Gbps veri hızı olmak üzere iki farklı şekilde çalışabiliyor. 6,4 Gbps’de 1,1 volt güç tüketen yongalar, 5,5 Gbps modunda 1,05 volt güç tüketecek. 6,4 Gbps modunda belleğin bant genişliği 51,2 GB/s’ye ulaşıyor ki bu da oldukça yüksek bir değer.

Samsung, LPDDR5’in güç tüketimi konusunda da bazı iyileştirmeler gerçekleştirmiş. Deep Sleep Mode adı verilen yeni teknoloji ile boştayken tüketilen güçte ciddi bir iyileştirme yapılmış.

LPDDR5, Deep Sleep Mode LPDDR4X’in boştaki güç tüketiminin yarısı kadar güce ihtiyaç duyuyor. Yeni belleğin genel kullanımda LPDDR4X’e göre güç tüketimi ise %30 daha az.

Yeni belleğin önümüzdeki aylarda duyurulacak olan akıllı telefonlarda kullanılması bekleniyor.