Samsung, Akıllı Telefonlarda Terabyte Sınırını Aştı

Samsung’un beşinci nesil V-NAND bellekleri, 64 GB dahili depolama alanından tam 20 kat daha fazla alan ve standart microSD kartlardan 10 kat daha yüksek hız sunuyor.

Samsung Electronics, sektördeki ilk 1 TB gömülü Evrensel Flash Depolama (eUFS) 2.1’i duyurdu. Yeni çözüm bir sonraki nesil mobil uygulamalarda kullanılacak. Samsung, ilk UFS çözümünü (128 GB eUFS) sunduktan yalnızca dört yıl sonra akıllı telefonlarda herkesin aşılmasını beklediği terabyte sınırını geride bıraktı. Akıllı telefon meraklıları yakında üst düzey dizüstü bilgisayarlara benzer bir depolama kapasitesine, telefonlarına ek bellek kartları almadan da kavuşabilecek.

“1 TB kapasiteli eUFS’nin, yeni nesil mobil cihazlarda dizüstü bilgisayar benzeri bir deneyim sunmada kritik bir yol oynaması bekleniyor.” diyen Samsung Electronics Bellek Satış ve Pazarlamadan Sorumlu Başkan Yardımcısı Cheol Choi, sözlerini şöyle sürdürdü: “Ayrıca gelecek amiral gemisi akıllı telefon modellerinin zamanında piyasaya çıkmasını sağlamak ve global mobil cihaz pazarının büyümesini hızlandırmak için en güvenilir tedarik zincirini ve yeterli üretimi sunmaya kararlıyız.”

1 TB eUFS, Samsung’un en gelişmiş 512-gigabit V-NAND flash belleklerinden 16 katmanı ve yeni geliştirdiği kendine özgü kontrolcüyü bir araya getirerek, 512 GB’lık önceki sürüm ile aynı boyutlarda (11,5 mm x 13,0 mm) iki kat kapasite sunabiliyor. Akıllı telefon kullanıcıları artık 10 dakikalık 260 adet 4K UHD (3840×2160) videoyu cihazlarına kaydedebilecek. Günümüzde üst düzey akıllı telefonlarda sıkça görülen 64 GB eUFS ile aynı boyutta 13 adet video saklanabiliyor.

1 TB eUFS ayrıca olağanüstü bir hıza sahip. Böylece kullanıcılar büyük boyutlu multimedya içerikleri çok daha kısa sürede aktarabilecek. Yeni eUFS, 1000 MB/sn’ye varan hızıyla standart bir 2,5 inç SATA SSD’den iki kata kadar daha yüksek sıralı okuma hızı sunuyor. 5 GB boyutunda Full HD videolar bir NVMe SSD’ye 5 saniye içinde aktarılabiliyor. Bu da standart bir microSD karta göre 10 kata kadar daha yüksek hız anlamına geliyor.

Ayrıca, rastgele okuma hızı da 512 GB’lık sürüme göre %38’e varan oranlarda artırılarak 58.000 IOPS düzeyine ulaşabiliyor. Rastgele yazma ise 50.000 IOPS’a varan yüksek performanslı bir microSD karttan (100 IOPS) 500 kata kadar hızlı hale geldi. Rastgele hızlar sayesinde saniyede 960 kare yüksek hızlı kesintisiz çekim yapmak mümkün hale geliyor. Akıllı telefon kullanıcıları bu sayede bugünün ve yarının çoklu kamera özelliklerinden tam olarak faydalanabilecek.

Samsung, 2019’un ilk yarısında beşinci nesil 512 Gb V-NAND belleklerinin üretimini Kore’deki Pyeongtaek tesisinde de yapmaya başlayacak. Bu şekilde, tüm dünyadaki mobil cihaz üreticilerinin 1 TB eUFS’e göstermesi beklenen yoğun talebin karşılanması planlanıyor.