AMD Ryzen işlemcilerden güç alan sistemlerde RAM ince ayarı ve hız aşırtması ile performansı nasıl arttırabileceğinizi bu rehberde anlatıyoruz.
Geçtiğimiz iki yıl içerisinde AMD, Ryzen platformu altında iki nesil yüksek performanslı işlemcilerini tanıttı. Yeni mimariye sahip bu ürünler yüksek potansiyel barındırsa da ürünlerle ilgili internette birçok yanlış bilgi yer alıyor ve özellikle ilk nesil AMD Ryzen işlemcilere yönelik yapılan eleştiriler tüketicileri tedirgin edebiliyor.
Genellikle AMD Ryzen platformunda RAM hız aşırtmanın zor olduğu söylense de uygun donanım ve biraz ön bilgiyle birlikte kolay ve hızlı şekilde başarılı sonuçlara ulaşmak mümkün. Üstelik bu şekilde oyunlarda yüzde 50’lere varan FPS artışı elde edebilmek de mümkün.
AMD Ryzen işlemciler, RAM saati ile birlikte hareket edebilmek için Infinity Fabric olarak adlandırılan özellikle birlikte saat hızlarını senkronize ediyor. Infinity Fabric, Zen işlemci silikonunda bulunan tüm bileşenler arasındaki bağlantıyı sağlayan temeldir ve iki CCX (Zen işlem kompleksi) arasındaki önemli bağlantıları da kontrol eder.
Bu yazımızda bölümler halinde; DRAM Calculator for Ryzen aracının ve birçok BIOS modunun geliştiricisi Yuri Bubly’nin (@1usmus) Ryzen sistemlerde RAM ince ayarları ve hız aşırtması için tecrübelerini sizlere aktaracağız.
AMD Ryzen – Bilinmesi Gereken Terimler
AMD Ryzen temelli bilgisayarınızda RAM hız aşırtması yapabilmek için bilmeniz gereken terimleri ve açıklamalarını aşağıda bulabilirsiniz. AMD Ryzen endüstri standardında DDR4 bellek mimarisini kullandığı için bazı terimleri daha önce de duymuş olabilirsiniz. Bazı terimler ise “Zen” mimarisine özeldir.
- SOC voltajı (System on a chip voltage) : RAM kontrolcüsü ile ilişkili voltajdan sorumludur. 1.2 V sınır değeridir.
- DRAM boot voltajı : sistem başlangıcında RAM’in hazırlandığı sırada geçerli olan voltajdır. 1.45-1.50 V sınır değeridir.
- VDDP voltajı : RAM içeriğini ayarlayan transistörün voltajıdır. 1.1 V sınır değeridir.
- CLDO VDDP voltajı : SoC üzerinde bulunan DDR4 PHY için geçerli olan voltajdır. DDR4 PHY, RAM kontrolcüsü üzerinde bulunan bilgiyi DDR4 RAM modüllerinin anlayacağı formata çeviren arayüzdür. Ancak ilk planda düşünülenin aksine daha iyi kararlılık için VDDP voltajını düşürmek CLDO_VDDP değerini yükseltmekten daha etkilidir. CLDO VDDP, bellek boşluklarını çözebilir veya taşıyabilir. VDDP üzerindeki ufak değişiklikler büyük etki oluşturabilir ve VDDP, VDIMM’den daha büyük bir değere ayarlanamaz. Bu voltajı değiştirdikten sonra bilgisayarınızın gücünü kesmeniz ve daha sonra yeniden vermeniz gerekir. 1.0 V (özellikle de 1.05 V) sınır değeridir.
- VPP (VPPM) voltajı : DRAM sırasına erişimin kararlılığını belirleyen voltajdır. 2.7 V sınır değeridir.
- Vref voltajı (bellek referans voltajı) : 0 ya da 1 olarak adlandırılan değerleri birbirinden ayıran voltaj düzeyini hem CPU hem de RAM modülü için ayarlayan voltajdır. Bellek anayolu üzerinde MEMVREF altında bulunan voltajlar 0, bu seviyelerin üzerinde bulunan voltajlar ise 1 olarak kabul edilir. Varsayılan olarak bu voltaj düzeyi VDDIO değerinin yarısı kadardır. Bazı anakartlar bu oranı değiştirmeye iki seçenek üzerinden izin verir. İlk seçenek DRAM Ctrl Ref Voltage (VREFCA olarak da adlandırılan ve bellek anayolunda bulunan kontrol hatları için geçerli voltaj), diğer seçenek ise DRAM Ctrl Data Ref Voltage (VREFDQ olarak da adlandırılan ve bellek anayolunda bulunan veri hatları için geçerli olan voltaj) olarak karşımıza çıkar. Bu ayarlar çarpan olarak ayarlanır.
- VTT DDR voltajı : Bu voltaj, yüksek hız elde etmek ve sinyal bütünlüğünü korumak için anayolun empedansını kontrol eden voltajdır.
- PLL (1P8) voltajı : Yüksek base clock frekanslarında CPU’nuzu stabilize etmek için kullanılır. 1.9 V sınır değeridir.
- CAD_BUS (Command & Address Bus) : Yüksek hızlarda (3466 MHz ve üzeri) bellekleri hazırlayan ancak sinyal sorunları nedeniyle stabilize edemeyen değerdir. CAD ile ilişkili değerler düşürülebilir ve bu yolla direnç arttırılabilir. Değerin herhangi bir limiti bulunmamaktadır.
- CAD_BUS timings : Alıcı verici gecikmesini belirler. Limiti yoktur.
- procODT : Direnç değeridir ve tamamlanmış bir bellek sinyalinin nasıl sonlandırılacağını belirler. Yüksek değerler, yüksek veri akışlarını stabilize etmeye yardımcı olabilir. Limiti yoktur.
- RTT (Sinyal Bütünlük Optimizasyonları) : DDR4 arayüzünde birden fazla DRAM sırasının kullanılması, bireysel sıralar için sonlandırılma direncinin belirlendiği ek seçenekleri gerektirir. DDR4 DRAM, sonlandırıcı direnç değerleri için bir aralık belirlenebilmesini sağlıyor. Arayüze sunulan spesifik DQ pin alıcı direnci, eğer dinamik die sonlandırma etkinse, başlangıç yonga konfigürasyonu ve DRAM çalışma komutunun bir kombinasyonu ile seçilir. Limiti yoktur.
- Geardown Modu : DRAM cihazının, komut ve adresleme veri yollarına kilitlemek için dahili olarak üretilen 1/2 saat oranını çalıştırmasına izin verir. DDR4-2667’den büyük hızlar için varsayılan olarak açık durumdadır. Ancak bellek kitine göre bu modu açmak ya da kapamak fayda sağlayabilir. Bu modu etkinleştirmek mevcut komut hızını geçersiz kılar.
- Power Down Modu : Belirli bir süre aktivite olmaması durumunda DRAM’i uyku durumuna geçirerek, yüksek DRAM gecikmesi karşılığında sistem gücünden tasarruf eden moddur.
Infinity Fabric
Daha önce bahsedildiği gibi Infinity Fabric, CPU işlem kompleksleri (4 CPU çekirdeğinin bir araya getirdiği grup) de dahil olmak üzere tüm önemli Zen işlemci bileşenleri arasındaki bağlantıyı sağlar. Infinity Fabric kendi saat bölümüne sahiptir ancak bu saat değeri bellek saat hızıyla senkronizedir.
Yapısal olarak Infinity Fabric, 256-bit çift yönlü bir veri yoludur. Infinity Fabric sayesinde 6 ve 8 çekirdekli AMD Ryzen işlemcilerindeki iki 4 çekirdekli kompleksi (CCX) ile güney köprüsü ve kök PCIe kompleksi de dahil diğer bloklar arasındaki veri aktarımı sağlanır. Infinity Fabric frekansı, sistem RAM frekanslı ile eşleşecek şekilde tasarlanmıştır. Örneğin bellek kontrolcüsü DDR4-2133 modunda çalışıyorsa, frekans 1066 MHz olarak senkronize edilir. Daha hızlı bellek, dahili Infinity Fabric bağlantısının bant genişliğini arttırmanıza olanak sağlar.
Bu teknoloji çok çekirdekli işlemciler için oldukça önemli ve Zen 2 işlemcilerle birlikte bu veri yolunun yeni sürümü yer alıyor. Bu işlemcilerde genellikle iki CPU die bölümü ve bir I/O kontrolcü die bölümü bulunuyor.
Infinity Fabric özelliğinin anlatıldığı resme bakıldığında RAM’in darboğaz oluşturan donanım olduğu görülebiliyor. Daha hızlı veri erişimi için yüksek frekansa ve düşük gecikmeye ihtiyaç var.
RAM Çeşitleri
RAM piyasasında birçok seçenek bulunuyor ve markalar rakiplerinden ayrılmak için birçok özellik sunuyor. Bu özelliklerden bazıları faydalı olsa da bazıları da kullanıcılar için gereksizdir. Peki doğru RAM seçimi nasıl yapılır?
Yuri Bubly, AMD Ryzen hız aşırtma için en iyi RAM’lerin genellikle Samsung b-die (20 nm) modüllerine sahip RAM’ler olduğunu belirtiyor. Bu RAM’ler genellikle üst düzey frekans ve gecikme değerleriyle gelir. Yüksek performans elde etmek için 4200+ MHz frekansa sahip pahalı bir kit almak zorunda değilsiniz. Çoğu durumda, 3000 MHz ve CAS latency (CL) değeri 14 olan bir kite hız aşırtmak bu belleklerle benzer sonuçlar verecektir. Silikon kalitesi ise bir başka faktör olarak karşımıza çıkar. 3000 MHz CL14 kit, kötü silikona sahip 3600 MHz kitten çok daha üstün bir performans sunabilir.
G.Skill Sniper X 3400C16, göz kamaştırıcı stok ayarlara ve zamanlara sahip olmayan bir single-rank DIMM modüldür. Bubly tarafından paylaşılan bu ekran görüntüsüne baktığımızda bu modülleri kullanarak CL14 gecikme değerinde 3667 MHz değerine ulaşmak mümkün olduğunu görebiliriz. 1.51 V gibi değerlerle 3733 MHz – CL14 değerlerine ulaşmak mümkün olsa da 1.51 V RAM modüllerinin erken bozulmasına sebep olabileceği için günlük kullanım için çok uygun değildir.
SK-Hynix CJR (18 nm) çipine sahip olan G.Skill Sniper X 3600 C19 modülleri de hız aşırtma için tavsiye edilen bellekler arasında yer alıyor. Samsung b-die temelli Sniper X 3400 belleklerinin neredeyse yarı fiyatına sahip bu bellekler Ryzen uyumlu çıkartmasına da sahip değil. Bu kit ile birlikte CL16 gecikme değeriyle 3933 MHz değerine ulaşmak mümkün. Tabii ki bu hıza ulaşmak için gecikme değerinden biraz feragat etmek gerekiyor.
Yukarıdaki ekran görüntüsünde de görülebileceği gibi Bubly, bu modüllerle 4000 MHz CL16 değerlerine de ulaşmayı başarmış.
Bu sene içerisinde yeni Micron H/E-die (16 nm) bellek modülleri de tanıtıldı. Bu modüllerle yapılan ilk testlerde bu bellek modüllerinin hız aşırtma için iyi olduğundan bahsediliyor.
Bubly, Dual-rank DIMM modüllerin ise hız aşırtma için güzel sonuçlar vermediğini belirtiyor. Bunun temelinde bellek kontrolcüsünün dört sıra belleği idare etmekte zorluk yaşaması gösteriliyor. Bubly, dual-rank modüller ile Samsung b-die bellek modülleriyle 3400 MHz ve Hynix CJR bellek modülleriyle 3600 MHz CL16 değerlerine ulaşmayı başarmış. Dört sıra bellek kullanmanın tek avantajı büyük kapasite artışı ve bu yüzden oyunlarda sistem performansının artması olarak karşımıza çıkıyor.
3600 MHz CL16 değeri, AMD’nin AMD Ryzen işlemcilerinin çift dual-rank modül kullanıldığında 2400 MHz’e sınırlandığını belirten verisini düşündüğümüzde önemli bir kazanç olarak olarak karşımıza çıkıyor. Dual-rank modülleri kullanmak bellek üreticilerinin kullanıcılara yönelik 16 GB modülleri sunabilmesinin (böylelikle de 32 GB çift kanal kitleri) sunmasının su an için tek yolu. 16 GB’dan fazla RAM’e ihtiyaç duyuyorsanız hız aşırtma beklentinizi de ona göre düşürmeniz gerekiyor.
AMD Ryzen – Anakart Çeşitleri
Şu an için farklı yongalara sahip birçok anakart modeli bulunuyor. Bu modeller farklı form faktörleri ve çeşitli gizli özelliklerle birlikte geliyor. AMD Ryzen sistemlerde hız aşırtmanın en önemli noktalarından biri de DIMM topolojisi ve RAM slot sayısıdır.
Dual-Slot
En hızlı RAM frekansları için ASUS ROG STRIX B450-I Gaming gibi iki bellek slotuna sahip bir anakart düşünülebilir. Dört tane bellek slotu olmadığı için bellek yolu üzerinde sinyallerin kalitesi ve yansıması artacaktır. Ancak bu kapasiteyi ve genişleme imkanını kısıtlayacaktır.
Daisy Chain
Daisy Chain topolojisini kullanan kartlar bir diğer seçenek olarak karşımıza çıkıyor. Bu topolojinin avantajı A2, B2 bellek slotları ve işlemci arasındaki veri yolunun uzunluğunun optimize edilmiş olmasıdır. ASUS ROG Crosshair VII, ASUS Prime X470-Pro, MSI X470 Gaming M7 AC bu anakartlara örnek verilebilir.
T- Topolojisi
ASUS ROG Crosshair VI T-topolojisini kullanan bir anakart olarak karşımıza çıkıyor. Bu anakartlar bellek hız aşırtması için avantaj sağlar. (3466-3533 MHz’lere kadar) Bu anakartların bir diğer avantajı da dört bellekli konfigürasyonlarda hız aşırtma potansiyelini yükseltmesidir.
RAM / SOC İnce Ayarlarının Sırası
En önemli ve gerekli adım sistemin istenilen frekansta başlamasını sağlayabilmektir. Bunun için BIOS üzerindeki bazı ayarları elle değiştirmek gerekir:
- XMP memory profile (Bazı anakart üreticileri farklı bir isim kullansa da fonksiyonu aynıdır.)
- RAM frekansı (kullanıcı tarafından istenilen frekans)
- BCLK frekansı (eğer anakart BIOS üzerinde bu seçeneği destekliyorsa)
- Zamanlayıcılar (Hesaplayıcı tarafından tavsiye edilen)
- SOC ve DRAM için voltajlar (Hesaplayıcı tarafından tavsiye edilen)
- procODT ve RTT değerleri (NOM, WR, PARK)
Bubly tarafından geliştirilen DRAM Calculator for Ryzen aracının nasıl çalıştığı ile ilgili tanıtıcı videoyu aşağıda görebilirsiniz.
İlk olarak procODT ve RTT (NOM, WR, PARK) için hesaplayıcı tarafından verilen parametreleri girin. Sistem en az hataya sahip duruma ulaşıncaya kadar tavsiye edilen ve alternatif değerleri kullanın. Bunun için TestMem5 0.12 test paketini basit ön ayarlarla birlikte kullanın. Bu tüm hatalardan kurtulmanızı sağlamayacaktır. Bunun için sonraki adımlara geçmeniz gerekiyor.
Daha sonra, DRAM ve SOC için ideal voltajı bulun. Böylelikle sistemdeki hata sayısı daha da azalacaktır. İlk olarak SOC için voltajı seçin ve daha sonra DRAM için voltajı ayarlayın. (Hesaplayıcı her biri için uygun olan değer aralığını size söyleyecektir.) Bazen, dijital bir ölçer ya da voltaj monitör yazılımı BIOS üzerinden ayarlanan değerin gerçekten sağlanıp sağlanmadığını göstermede faydalı olabilir. Özellikle sistem stabilitesini hangi değeri verirseniz verin sağlayamazsanız bu durumda bu kontrolü yapmanız faydalı olacaktır. Hataları kontrol etmek için TestMem5 0.12 test paketini basit ön ayarlar ile birlikte kullanın.
Tüm bunların ardından sistemlerin yarısında tam kararlı durum elde edilebilir. Eğer TestMem 5 0.12 test paketi hata bulamazsa, kararlılık için kullandığınız araçların sayısını arttırabilirsiniz. Linx, HCI, Karhu bu araçlara örnek olarak gösterilebilir. Tüm bu programlar hata bulamazsa bir sonraki adıma geçin.
Her zaman değerinin sistem kararlılığını nasıl etkilediğini kontrol etmeniz gerekir. Tüm değerleri tek bir seferde değiştirmemeniz tavsiye ediliyor. Bubly, sabırlı olmanın bu aşama için çok önemli olduğunu belirtiyor. Her seferinde sadece bir değeri değiştirin. Eğer test edilen zaman durumu iyileştirmiyorsa önceki değerine geri alın ve listenizdeki diğer zamanı deneyin.
Bubly, bu aşamadan sonraki ek adımların sadece hız aşırtma konusunda tecrübesi olan deneyimli kullanıcılar tarafından uygulanmasını tavsiye ediyor.
CAD_BUS İnce Ayarı
Ek Voltajların Ayarlanması
Her diyagram her aşamada denenecek parametreleri listeliyor. Bubly, bu diyagramları sistem kararlılığı için ilk olarak kontrol edilmesi gereken yüksek öncelikli ayarlara göre oluşturduğunu ifade ediyor.
AMD Ryzen Sistemlerde Zaman Değerlerinin Kısıtlılıkları ve Faydaları
Sistemi çok düşük zaman değerlerinde çalıştırmak her zaman maksimum performansı garanti etmez. Bubly, yaptığı araştırmalarda düşük zaman değerlerinin donmaların ardındaki sebep bile olabileceğini gördüğünü belirtiyor.
Bubly, iki farklı bellek kitinde zaman değerleri üzerine yaptığı test değerlerini de paylaşıyor. Değiştirdiği değerleri tablo üzerinde koyu olarak belirten Bubly, zaman değerlerinin önceliğini en önemliden en önemsize doğru sıraladığını da vurguluyor.
tWTRS gibi bazı zaman değerlerini düşürmenin sistem performansı üzerinde negatif etkisi olabileceği görülüyor. Ayrıca XMP profili en uç değerleri sağlamıyor. Ortalama olarak XMP profili ince ayarı, %14’e kadar FPS artışı sağlıyor. Aynı zamanda XMP profili sistem kararlılığını da olumsuz etkileyebiliyor. Bubly, zamanlayıcının tavsiye ettiği değerler kullanıldığında maksimum oyun performansının elde edilebileceğini belirtiyor.
Zaman Değerleri Arasındaki İlişki
DRAM erişim gecikmesi günümüz bilgisayarlarında sistem performansı üzerinde darboğaz oluşturan kritik faktörler arasında yer alıyor. DRAM kapasitesi üretim sürecindeki gelişmelerle birlikte artmış olsa da gecikme süresi uzun zamandır belirgin şekilde azalmadı. Çekirdek sayısının artışıyla birlikte modern uygulamalar çok veri işler hale geldi ve DRAM erişim gecikmesi genel sistem performansını etkileyen büyük bir engel haline gelmeye başladı.
DRAM erişim gecikmesi, temel olarak üç temel DRAM işleminin gecikmelerinin bir araya gelmesiyle oluşur: etkinleştirme, geri çevirme, ön şarj. DRAM, verileri iki boyutlu hücre sıraları içerisinde depoluyor. Her hücre kapasitör içerisinde küçük miktarda elektriksel yük depolayarak bir bit’lik veri tutuyor.
Etkinleştirme & Veri Erişimi
DRAM hücrelerinde okuma yazma işlemi gerçekleştirmek için, ilk olarak bellek kontrolcüsü hedef hücreleri içeren sıra dizisini etkinleştirmek zorunda. Bu sırada, sırada yer alan her hücre bit dizisine karşılık gelen yük değeri ile paylaşır. Algılayıcı bit dizisi üzerindeki doğru veri değerini tespit eder ve veri değeri bir sürgü içerisinde depolanır. Bunun ardından bellek kontrolcüsü komutları okuyabilir ve yazabilir. Hücre ile bit dizisi arasındaki yük paylaşımı hücre içerisindeki yük miktarını tüketebilir. Yük tükenmesini ve dolayısıyla veri kaybını önlemek için DRAM, yük düzeyini belirli bir düzeye geri çevirmek zorundadır. Geri çevirme işlemi tamamlandığı zaman ve bellek kontrolcüsü etkinleştirilmiş sırada okuma ve yazma işlemini gerçekleştirdikten sonra kontrolcü katmanı sonraki etkinleştirme işlemine hazır hale getirmek için ön yüklü duruma getirir.
Hücre Yenilenmesi
DRAM, kapasitörlerden oluştuğu için; hücre erişilmediği zaman bile yük sızdırır. Veri kayıplarını önlemek için, DRAM hücreler üzerinde periyodik olarak yenileme işlemi yürütür. Bu işlem hücrenin yük düzeyini tam değere çevirir.
Eğer hücre içerisindeki voltaj minimum değerin altında düşerse veri kaybı yaşanabilir. Bu hatanın tespit edilmesi zor olabilir. Düzeltmek için RAM voltajını arttırmak ya da yeniden yükleme ve yenilemeden sorumlu zaman değerlerini değiştirmek (tRP ve tRFC) gerekebilir. Ek olarak tWR ve tRTP de bu durumdan etkilenir. Bubly, tWR değerini 12’nin üzerine çıkarmamanızı tavsiye ediyor. Çünkü bu yazma işleminin sonu ile yeniden yükleme komutu arasındaki minimum zamanı temsil ediyor.
Diğer Zamanlara Bağlı Olan Değerler
Basit ve genel olarak; 2,4 veya 8 bileşenli bir verinin okunması sırasında aşağıdaki işlemler yürütülmek zorundadır:
- Bellek sırasının ACTIVATE komutuyla birlikte etkinleştirilmesi
- Okuma için READ komutunun kullanılması
- Mikrodevre üzerindeki harici veri yolu üzerinde alınan verinin okunması
- Yeniden yükleme komutu sayesinde satırın kapatılması (İkinci aşamada RD + AP komutu kullanılırsa bu işlem otomatik olarak gerçekleştirilir.)
İlk ve ikinci işlem arasındaki süre tRCD, ikinci ve üçüncü arasındaki süre, tCL olarak isimlendirilir. Üçüncü ve dördüncü işlemler arasındaki süre ise iletilen paketin boyutuna bağlıdır. tBL olarak adlandırabileceğimiz bu değer aktarılan paketin uzunluğunun (2, 4 ya da 8), her saat döngüsü için harici veri yolu üzerinde iletilen veri elementi sayısına (SDR cihazlar için 1, DDR cihazlar için 2) bölünmesiyle elde edilir.
SDRAM yongaları üçüncü ve dördüncü işlemlerin eş zamanlı şekilde yürütülmesine izin verir. PRECHARGE komutu belirli bir sayıda nesne (x) için istenilen paketin son verisi işlenmeden önce gönderilebilir. (Eğer PRECHARGE komutu READ komutundan x periyodundan daha az sürede gönderilirse paket aktarımı bozulur) x değeri tCL değerinden bir çıkarılması ile elde edilebilir. (x = tCL -1)
Dördüncü işlem ile döngünün yeniden başlaması arasındaki süre ise tRP (time to recharge the line) olarak adlandırılır.
Aynı zamanda bu döngünün minimum süresi (tRAS), aşağıdaki formülle hesaplanır:
tRAS, min = tRCD + tCL + (tBL – (tCL -1)) -1
Bu ifadeyi sadeleştirirsek aşağıdaki formülü elde ederiz :
tRAS, min = tRCD + tBL
Sonuç olarak SDRAM tipi belleklerde tRAS değerinin tCL gecikmesine bağlı olmadığı ortaya çıkıyor. Bubly, birçok RAM kılavuzunda böyle bir bağımlılığın olduğuna dair yanlış bilginin yer aldığını belirtiyor.
Ryzen işlemciler için çok düşük tRAS düzeylerine ulaşmak ise ne yazık ki mümkün değil. Ryzen sistemler için minimum kararlı tRAS değeri 22’dir. Bubly bu yüzden maksimum kararlılığa ulaşmak için tRAS = tRCD + tBL + tWR (12 ya da 10 olarak ayarlanmış) formülünü kullandığını belirtiyor. Örneğin Samsung b-die RAM’ler için tRas = 14 + 4 + 10 = 28 ya da 14 + 4+ 12 = 30. Hynix CJR için tRAS = 20 + 4 + 12 = 36.
Tam döngü okuma işlemi zamanı (1. aşamadan tekrarına kadar), tRC (minimum cucle time of a row) olarak ifade edilir. tRC = tRAS + tRP formülü ile birlikte hesaplanabilir.
Bazı bellek kontrolcüleri tRAS ve tRC zamanlamalarını bağımsız olarak ayarlamaya izin verir. Bu durumda yukarıdaki denklemler sağlanamayabilir. Ancak bu şekilde ayarlansa da tRAS ve tRC değerleri otomatik olarak bu eşitliği sağlayacak şekilde ayarlanır.
Başlangıç Yükü ve Etkinleştirme Gecikmesi
DRAM hücresinin sahip olduğu yük miktarı hücre etkinleştirme işleminin gecikmesini etkiler. Eğer başlangıç yükü düşükse bitline voltaj değeri üzerindeki etki az olacaktır. Bu yüzden algılayıcı diğer aşamalara ulaşmakta gecikecektir. Özellikle hücreye yenilendikten uzun zaman sonra erişilmeye çalışırsa bu durumla karşılaşılır. tRCD ve tRAS değerleri de en kötü senaryoya göre belirlenir. Bu da hücrenin yenileme zaman aralığının bitiminden hemen önce erişilmeye çalışılmasıdır.
Eğer hücreye erişim sırasında başlangıç yükü nerdeyse tam dolu haline yakın derecede yüksekse bitline voltaj üzerindeki etki de yüksek olacağından sonraki aşamalara daha hızlı geçilebilecektir. Böylelikle tRCD ve tRAS değerleri azalacaktır.
procODT, RTT ve CAD_BUS
Bubly, ilk nesil Zen işlemcileri piyasaya sürüldüğünde kullanıcıların birçok problemle karşılaştığını ifade ediyor. İncelemelerde bir kaos yaşandığı ve forumlarda çok az gerçek uzman yer aldığı için RAM hız aşırtma işleri mantıklı bir şekilde yapılamadı. Forumlarda en çok bellek hız aşırtmanın nelere bağlı olduğunun sorulduğunu belirten Bubly, başarıyı üç bileşene bağlıyor: Anakart, IMC (bellek kontrolcüsü) ve RAM.
Anakart Seçimi
3xx yongalara dayalı tüm anakartlar T-topolojisine sahiptir ve genellikle maksimum bellek saat hızı 3466 MHz ile sınırlıdır. Eğer tasarım değiştirilebilirse 3600 MHz değerlerine ulaşılabilir. Hız aşırtmanın neden bu kadar görece düşük frekanslarda kaldığını anlamak için Bubly, anakartların PCB (Printed Circut Board) yapısına bakılması gerektiğini belirtiyor.
PCB üzerindeki her sinyal yolu bir iletkendir. Her yol izi diğer izi olumsuz şekilde etkileyebilir. Olumsuz etkileşimleri önlemek için her anakart tasarımcısı tüm sinyal yollarını düzgün şekilde tasarlamalıdır.
Örneğin düz bir hatta ufak bir dalga eklendiği zaman sinyal hattının kapasitesi dramatik şekilde değişebilir.
Ayrıca form faktörü, PCB katmanlarının sayısı, iletkenlerin bileşimi anakartın kalitesini etkiler. Genellikle pahalı anakartlarda tasarım için daha çok vakit harcanır ve daha kaliteli bileşenler kullanılır.
Yüksek kaliteli bir anakartı nasıl tanımanın yolu ise procODT değeridir. Çalışan en düşük procODT değeri ile birlikte o anakart için en iyi sonucu alırsınız. Bubly, farkları gösterebilmek için aşağıdaki tabloyu paylaşıyor:
Bubly, uzun zamandır incelemelerde anakartların topolojisinin ve yeteneklerinin yer almadığını belirtiyor. Genellikle anakartların kutularının, RGB modlarının, VRM soğutmasının güzel görünüşünden bahsedildiğini ve bu durumun kullanıcılar için temel sorunu oluşturduğunu ifade ediyor.
Anakart tercihi sırasında Bubly özellikle iki noktaya dikkat edilmesi gerektiğini belirtiyor:
- VTT DDR Step : Bazı anakartlar 0.01 V bazıları ise 0.005 V VDRAM basamak değerine sahiptir. İlk değer için 1.35 V, 1.36 V gibi değerler alınırken diğeri için 1.35 V, 1.355 V, 1.36 V gibi değerler alınır. Bu yüzden ikinci basamak değerine sahip anakartlarda DRAM kararlılığını sağlama şansı daha fazla olacaktır.
- BIOS üzerinde ayarlanan DRAM voltajı her zaman doğru olmayabilir. Bazen daha düşük bazense daha yüksektir. VTT DDR = vDRAM/2 olarak hesaplansa da bazen bu denklemi sağlamak için diğer değerlerin değiştirilmesi gerekir. Bu yüzden basamak boyutunu otomatik olarak belirleyen anakartlar avantaja sahiptir.
RAM Seçimi
Bubly, forumlarda bazen kullanıcıların Samsung b-die RAM’lere sahip olmasına rağmen yüksek voltajda bile düşük frekans değerlerine ulaştıkları için AMD’yi suçladıklarını gördüğünü belirtiyor. İlk olarak RAM modülünün sadece belirli bir üreticiye ait çiplerden oluşmadığını ve PCB yapısının da önemli olduğunu belirten Bubly, kapasitörlerin ve çip bağlantılarının da büyük etkiye sahip olduğunu belirtiyor.
Örneğin Samsung b-die yongalarını kullanan Corsair RAM’lerle hız aşırtma rekorlarının kırılmadığını belirten Bubly, G.Skill Sniper-X 3400c16 kitin ise frekans açısından belirgin bir avantaja sahip olduğunu belirtiyor. Bu yüzden RAM seçimi öncesinde forumları ziyaret etmenizi tavsiye ediyor.
Çok sayıda bellek yongası içeren tek bir modülde yongaların farklı frekans- voltaj özelliğine sahip olma olasılığı da bulunur. Bazen artan voltaja bağlı olarak diğer yongalar kararsız hale gelebilir. Kullanıcıların yapabileceği en iyi şey ise 3,600 MHz üzerinde fabrika çıkışı hız aşırtma yeteneğine sahip kitleri satın almaktır. Böylelikle tüm çiplerin hedef frekanslara ulaşmasını garanti altına alabilirsiniz.
Bellek Kontrolcüsü
Ryzen platformunda genellikle bellek saati 1733-1766 MHz (DDR-3466, DDR-3525) ile sınırlıdır. Daha yüksek frekanslarda da çalışmak mümkündür. Bellek kontrolcüsünün iyi çalışması için düşük procODT değerleriyle birlikte çalışan modülleri kullanmak daha uygun olacaktır. AMD’ye göre bellek kontrolcüsünün procODT değeri 40-60 ohm değeri arasında olmalıdır. Bu alan içerisindeki kararlılık özellikle CAD yapılandırmasına ve anakartın kalitesine bağlıdır.
Yukarıdaki tabloda procODT / RTT değerlerinin frekansla birlikte nasıl değiştiğini görebilirsiniz.
Sistemi kararlı hale getirmek için ilk olarak RTT/PARK değerlerini kontrol edip daha sonra procODT değerini değiştirmek gerekir. CAD değerini değiştirmek için acele etmenize gerek yoktur. CAD değeri çok fazla değişkene sahip olduğu için sistemi kararlı hale getirmek için fazla vakit kaybetmenize neden olacaktır. Bubly, CAD değerinin bazal 24-24-24-24 değerinden dramatik bir şekilde değişmeyeceğini ve tek bir değerin yukarı ya da aşağı çekilmesinin güvenli olacağını belirtiyor. (örneğin 24-30-24-24)
Ayrıca her BIOS güncellemesinin çalışan procODT ve RTT değerini değiştireceğini de unutmayın.
Ek olarak procODT değerini değiştirdiğiniz zaman çalışan kararlı minimum DRAM voltaj değeri değişebiliyor. RTT değerinin de belleğin voltajına ufak bir etkisi bulunuyor.
Ryzen kullanıcıların bazen çift başlatma ya da tamamen kapanıp açılma gibi durumlarla karşılaşabileceğini belirten Bubly, bunun herhangi bir soruna işaret etmediğini belirtiyor. Eğer sistem ilk seferinde başlatılamıyorsa bir algoritma tetikleniyor ve kullanıcılara sunulmayan bazı ayarlar değiştirilerek sistemin yeniden başlatılması sağlanıyor. Bu durum procODT, RTT ve CAD değerlerinden etkilenebiliyor.
Faydalı İpuçları
- SOC ve DRAM için çok yüksek voltaj değerleri kullanmayın. Hesaplayıcı size kararlı sonuçlar için hangi değer aralığını kullanmanız gerektiğini belirtecektir. Genellikle en iyi SOC değerleri 0.97-1.025 V aralığındadır.
- İdeal zamanların dışında kalındığı zaman titremeler ya da bozulmalar meydana gelebilir. Dijital bir devrede tüm sinyaller referans saat sinyallerine göre iletilir. Dijital sinyaldeki sapmalar yansımaların, girişimlerin, işlem-voltaj-sıcaklık varyasyonlarından ve diğer faktörlerden etkilenir. Bazı titremeler de rastgele gerçekleşir.
- Her zaman RAM için ek soğutma kullanın. Düşük voltajlar daha az ısı anlamına gelir. Oluşan ısıyı azaltarak sisteminizi daha kararlı hale getirebilirsiniz.
- Sistemde çok sayıda hata oluştuğunda, mavi ekran alındığında, sistem cevapsız kaldığında procODT veya RTT değerlerini değiştirmeniz gerekebilir.
- Tek ve nadir hatalar şu zaman değerlenin elle değiştirilmesiyle düzeltilebilir: 1) tFAW (tRRDS x 4 < En iyi değer < tRRDS x 6), 2) tRRDS değerini 1 ya da 2 arttırmak, 3) tRTP değerini değiştirmek (tWR değerinin yarısından 12’ye kadar)
- Tek ve nadir hatalar tRDWR değerini (6’dan 9’a kadar) ve tWRRD (1’den 4’e kadar) değiştirerek düzeltilebilir. Bu zamanlar birlikte düzenlenmelidir. Örneğin tRDWR 6 ve tWRRD 2, tRDWR 6 ve tWRRD 3, tRDWR 6 ve tWRRD 4, tRDWR 7 ve tWRRD 1 gibi.
- Tek ve nadir hatalar tRFC değerini değiştirerek düzeltilebilir. Hesaplayıcı tRFC için birçok seçenek önerecektir.
- Geardown modunu etkinleştirmek sistem kararlılığını arttırabilir.
- VDDP sistemin kararlılığını arttırabilir. Tavsiye edilen aralık 855 mV ile 950 mV’tur. 10-15 mV değerleriyle arttırmayı deneyebilirsiniz.
- Spread-spectrum ayarını devre dışı bırakmak sistem kararlılığını arttırabilir.
- Hataların kaynağı hız aşırtma değil de Windows da olabilir.
- tRCDRD ve tRP değerini 1 arttırmak kararlılığı arttırabilir ve bellek voltajı gerekliliklerini azaltabilir.
- RTT_NOM ayarını devre dışı bırakmak bazen kararlılığı arttırabilir.
- RTT_PARK veya procODT için direnci arttırmak kararlılığı arttırabilir.
- tRC = tRAS + tRP kuralını unutmayın.
- CLDO_VDDP değerinin en iyi değerleri : varsayılan (850 mv), 950 mV, 945 mV, 940 mV, 915 mV, 905 mV, 895 mV, 865 mV ve 840 mV.
- tWRWR SCL ve tRDRD SCL için çift sayı değerleri kararlılığı arttırabilir. Örneğin 4-4 ya da 6-6.
- İşlemcinin aşırı hız aşırtması RAM kararlılığını olumsuz etkileyebilir.
- CAD_BUS 24 30 24 24; iki modül için faydalı bir konfigürasyondur. 24-20-24-24 ise dört modül için daha uygundur.
- Anakartınızın AGESA güncellemesini içeren BIOS güncellemelerine ya da bellek ayar kapasitesini arttıran BIOS sürümlerini araştırın.
Sonuç
Bubly, internet üzerindeki incelemelerde ve makalelerde düzgün yapılmış RAM ince ayarlarına ve hız aşırtmasına yeterince önem verilmediğini belirtiyor. XMP profillerinin çoğu durumda AMD Ryzen için tamamen kararlı olmadığından ya da iyi performans getirmediğini vurgulayan Bubly, bu yüzden testlerinde tipik XMP 3600 CL16-19 profilini kullanmadığını söylüyor. Elle yapılmış ayarlamalarla birlikte işlemcinin varsayılan modunda bile yüksek FPS artışı elde ettiğini belirtiyor. Oyunlardaki ortalama işlemci frekansı 3975 ile 4075 MHz arasında değişiyor.
Testler sırasında Bubly, işlemcinin 4200 MHz’de çalışırken belleğin daha kararsız bir durumda olduğunu tespit etmiş. Bubly, bunu CPU ve RAM hız aşırtmasının birbirinden bağımsız olmadığını ve birbirlerini etkileyebilmesi olarak görüyor. Aşırı hız aşırtılmış bir işlemci, RAM hız aşırtmasını kısıtlayacaktır.
Bubly, oyunlar için sadece işlemci hız aşırtmasına odaklanılmaması gerektiğini belirtiyor. Oyunlarda ekran kartı tüm sistemin en zayıf parçası olarak kalacaktır. Tüm oyunlarda RAM hız aşırtmasıyla birlikte performans artışı getireceği belirtiliyor.
Samsung’un yongalarının Ryzen için en iyisi olduğunu belirten Bubly, 3200 MHz CL14 seçeneklerinin olduğunu belirtiyor. 4200 MHz CL18 modellerin de mevcut olduğu ancak çoğu durum için aşırı masraf olarak kalacağı belirtiliyor. Tüm Samsung bellek yongaları 3533 MHz CL14 konfigürasyonu ile birlikte çalışabiliyor. Eğer Samsung yongalar için harcayacak kadar bütçeniz yoksa Hynix CJR yongasını içeren G.Skill Sniper X 3600 C19 gibi modellere yönelebilirsiniz.
