Resmi olmayan kaynaklardan gelen bilgilere göre Samsung’un %67’lik bir yoğunluk artışı sağlayacak 160 katmanlı 3D NAND teknolojisine geçiş yapması bekleniyor.
Yangtze Memory Technologies, geçtiğimiz haftalarda 128 katmanlı 3D NAND yongaların üretimine başladığını duyurmuştu. Samsung’un ise buna karşılık olarak 160 katmanlı 7. nesil V-NAND teknolojisini geliştirdiği bildiriliyor.
Kaynağı belirtilmeyen rapora göre Samsung, 3D yapıda dikey istifleme kullanılan yeni V-NAND’ı geliştirmek için “Double-Stack” yöntemini kullanacak. Samsung’un Double-Stack yöntemi, akımın devrelerden geçişi için iki ayrı zamanda elektron delikleri oluşturuyor. Mevcut nesilde ise bu delikler döngü başına bir kez oluşuyordu.160 katmanlı NAND flaşın, piyasadaki 96 katmanlı çiplere göre %67’lik bir yoğunluk artışı ile gelmesi bekleniyor. Bu teknoloji ile desteklenen ürünler piyasaya çıktığında sektördeki en yüksek fiyatlı ürünler olacaktır.
Etnews’in raporunda, yaklaşan 160 Katmanlı 3D NAND teknolojisi hakkında daha fazla ayrıntılı detay paylaşılmadı. Ancak Samsung’un bu konuda sıkı çalıştığı ve seri üretimin 2020 sonlarına yetiştirileceği söyleniyor.
İlginizi çekebilir: SK Hynix, Bu Yıl DDR5 Bellek Üretimine Başlıyor
