Anasayfa Haber Intel, 5 Yıl İçinde GAAFET Transistör Teknolojisine Geçmeyi Hedefliyor

Intel, 5 Yıl İçinde GAAFET Transistör Teknolojisine Geçmeyi Hedefliyor

Intel işlemci

Uzun yıllardır FinFET üretiminden faydalanan yarı iletken şirketleri, GAAFET sürecine geçmek için hazırlıklar yapıyor. Intel’in planı ise en geç 5 yıl içinde geçiş yapmak.

Yarı iletken üretim süreci oldukça zor bir iş ve üreticilerin birbirleriyle rekabet etmeleri için sürekli bir ihtiyaç. Bu rekabet ortamı oluşmadığı sürece bazı şirketler diğerlerinden geride kalabilirler. Dünyanın en büyük yarı iletken üreticilerinden biri olan Intel, her zaman yarı iletkenlere büyük Ar-Ge yatırımları yapıyor ve yeni teknolojiler icat etmeye çalışıyor.

Şimdi ise düşünemeyeceğimiz kadar küçük transistör boyutlarına ulaşmayı mümkün kılan nanowire/nanoribbon transistörler gündemde. Intel’in CTO’su Mike Mayberry, uluslararası VLSI konferansı sırasında şirketin bilgi işlem taleplerini nasıl ele alacağını ortaya koyan bir sunum yaptı.

GAAFET Transistör Teknolojisi

CTO, The Future of Compute adlı sunumda heyecan verici iddialarda ve tahminlerde bulundu. Intel’in 22nm üretiminden bu yana alışılageldik FinFET tekniğini kullandığını biliyoruz. Üretim teknolojileri küçüldükçe yarı iletken üreticilerinin başa çıkması gereken sorunlar da beraberinde geliyor.

GAAFET Transistör Teknolojisi

Intel, Samsung ve diğer yarı iletken üreticileri, Gate-All-Around FET (GAAFET) adlı bir çözüm oluşturdu. Bu teknoloji bir transistörün yapısını tamamen değiştiriyor. Böylece hatalar önlenirken daha iyi bir anahtarlama kontrolü elde ediliyor. Intel, beş yıl içinde bu teknolojiye dayalı yüksek hacimli silikon üretimine başlayacaklarını tahmin ediyor.

Bu süreç Intel ve endüstri kapsamındaki diğer şirketler için önemli bir kilometre taşı anlamına geliyor. Samsung, GAA transistörlerini yeni ‘3nm’ üretim teknolojisinde kullanacağını daha önce açıklamıştı. Şirketin hedefi ise 2021 sonlarında hacimli üretim ile birlikte piyasaya açılmak.

Intel, 2021 için 10nm+++ ve yeni bir üretim teknolojisi (7nm) için hazırlıklar yapıyor. 2022 yılında 7nm+ ve sonrasında 7nm++ ile yollarına devam edebilirler. Bu noktada TSMC’nin 3nm üretimine geçme olasılığı ise çok yüksek.

GAAFET Transistör Teknolojisi

Intel yetkilisi, GAA üretim süreci ve nanowire transistör yapısında en geç beş yıl içinde hacimli üretime geçeceklerini tahmin ediyor. Yıllardır araştırma ve geliştirme aşamasında olan GAA (Gate-All-Around) üretiminin geleceğini merakla bekliyoruz. Böylece teknoloji dünyasının verimlilik ve performans ihtiyaçlarını karşılamak için yeni bir sayfa açılmış olacak.

İlginizi çekebilir: TSMC, 3nm Teknolojisi için Kolları Sıvadı