10nm üretiminde büyük sıkıntılar yaşayan Intel, görünüşe bakılırsa sorunların üstesinden gelerek süreci daha ileri taşımayı başardı.
Intel, 2020 Architecture Day etkinliğinde pek çok teknolojik yenilik duyurdu. Şüphesiz en önemli konulardan birisi ise 10nm SuperFin üretim teknolojisiydi. Bilindiği üzere mavi takım 10nm üretim sürecinde büyük sorunlar yaşamıştı. Ancak görünen o ki şirket 10nm prosesindeki problemleri düzeltmekle kalmamış, aynı zamanda daha küçük transistörler elde etmek için geliştirmeler yapmayı başarmış.
Halen kullanılan 14nm sürecinin “+” ibaresi ile birçok yenileme aldığını görmüştük. Her bir “+” ise daha önce yaklaşık %3.8 ile %5.9 arasında bir performans artışı sağladı. Ancak 10nm SuperFin ile gelen perfoformans artışı, orijinal 10nm ile karşılaştırıldığında kabaca %17.5 düzeyinde.
Intel, yeni 10nm SuperFin teknolojisi ile şirketin tarihindeki en büyük performans artışını yaşadığını söylüyor. Bununla birlikte önümüzdeki işlemcilerde daha yüksek frekanslar ve daha düşük güç tüketimi sağlanacak. Bu süreç Intel için oldukça elzemdi, zira şirket yakın bir zaman önce 7nm üretim bandından çıkan yongaların gecikeceğini ilk ağızdan doğrulamıştı.
Yaşanan gecikmelerin olumsuz etkilerini azaltmak isteyen teknoloji devi, 10nm üretimini önceki tahminlere göre %20 artıracağını duyurdu ve bu üretimlerden tam performans elde etmeyi planladığını bildirdi. Ayrıca şirket, üçüncü taraf dökümhanelerde üretilen çipleri kendi ürünlerine hızlı bir şekilde entegre etmek için gelişmiş paketleme teknolojilerinden yararlanmayı planlıyor. Tüm bu gelişmeler ise Intel için hayati önem taşıyor. Zira söz konusu masaüstü bilgisayarlar ve veri merkezleri olduğunda, AMD ve gelişen ARM ekosistemi Intel için büyük bir tehdit oluşturuyor.
10nm SuperFin teknolojisi şirketin atmış olduğu birkaç adımla birlikte geliştirildi. SuperFin daha yüksek kapı aralığı, daha yüksek sürücü akımı, iyileştirilmiş kanal hareketliliği, daha düşük direnç ve yüksek gerilim sağlayan bir transistör teknolojisi niteliğinde. 10nm SuperFin transistörleri, ara bağlantı direncini %30 azaltan yeni bir ince bariyere sahip ve bu ara bağlantılar performansa olumlu etkide bulunuyor. Ayrıca bu bağlantılar transistörlerde küçülme ve yonga ölçeklendirmesinin önündeki engellerden biri ve bu süreçte kritik bir yol oynuyor.
Intel, SuperMIM (Metal-İzolatör-Metal) kapasitörünün “endüstri standardı” cihazlara kıyasla MIM direncinde 5 kat iyileştirme getirdiğini iddia ediyor. Bu süreç ise yüksek frekansta uzun süre kalabilmek için yardımcı rol oynuyor. SuperFin transistörler, gelen voltaj değerinde daha yüksek saat hızları sunuyor ve herhangi bir frekansta normale göre daha düşük voltajda çalışabiliyor. Transistörler ayrıca minimum ve maksimum voltaj açısından daha büyük bir dinamik aralığa sahip.
11. Nesil Tiger Lake ve Willow Cove
Mavi ekip, Tiger Lake’in hem termal olarak kısıtlanmamış kullanımda daha yüksek maksimum frekanslar sunduğunu, hem de TDP ile sınırlı ortamlarda daha hızlı ve daha verimli olduğunu iddia ediyor. Ice Lake’de bulunan Sunny Cove çekirdeklerine göre IPC kazancı optimize edilirken Willow Cove ile büyük performans artışları sağlandığı da vurgulanıyor.
Intel SuperFin Transistörler
- Intel’in SuperFin transistörü ilk olarak 10nm sürecini iyileştirmeye çalışırken geliştirildi ve başlangıçta 10nm+ olarak adlandırıldı. Ancak Intel, önceki “+” yinelemelerin performans artışlarına nazaran burada çok daha yüksek kazançlar elde etti. Bu nedenle özel bir isimlendirme kullanılmış durumda.
- Intel’in Tiger Lake işlemcileri SuperFin teknolojisine dayanıyor ve 10nm’lik bir yonga için şaşırtıcı derecede yüksek saat hızlarına ulaşabiliyor.
- Intel’in Ice Lake işlemcileri, SuperFin yerine standart 10nm üretimini temel alıyor.
- Şirket halihazırda geliştirilen SuperFin üzerinde iyileştirmeler yapmak için çalışmalarını sürdürüyor. Bu sebeple ilerleyen tarihlerde farklı ürün gruplarında kullanılmaya devam edecek.
