Micron, yatırımcılarla yaptığı bir toplantıda şu an için en gelişmiş teknoloji olarak öne çıkan 232 katmanlı NAND Flash çözümünü tanıttı. Bellek üreticisi, toplam 232 katman elde etmek ve bir çift TLC yığını oluşturmak için platform olarak şirketin CMOS Under Array (CuA) adını verdiği yöntemi kullanıyor.
Her istiflenen NAND Flash çipinin 1 Terabit veya 128 GB kapasiteye sahip olduğu söyleniyor, bu nedenle kapasite açısından bir artış görmüyoruz. Ancak Micron, üretim teknolojileri sayesinde bant genişliğini artacağını söylüyor. Sonuç olarak rakiplerine kıyasla daha iyi performanslar görebiliriz. Yeni NAND Flash’ın SSD’ler, eMMC ve UFS gibi sınıflar için optimize edilmesi gerekiyor.
Micron ayrıca gelecekte 300 ve 400 katmanlı NAND teknolojilerine geçmeden önce 200’den fazla katmanlı ürünleri gösteren güncellenmiş bir NAND Flash yol haritası da açıkladı. 300 katmanlı yığınlar yapısal geliştirme aşamasındayken, 400 katmanlı ürünler hala araştırmaların çok erken aşamalarında. Yeni 232 katmanlı NAND yongalarla inşa edilen ürünlerin bu yılın sonuna doğru seri üretime geçeceği söyleniyor. Nitekim 2023’e kadar Micron’un 232 katmanlı 3D NAND çiplerini kullanan ürünler görmeyi beklemiyoruz.
