Samsung, Gate-All-Around (GAA) işlem tekniğiyle birlikte 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 azaltılmış güç kullanımı, %23 geliştirilmiş performans ve %16 daha küçük yüzey alanı sağlayacak. İkinci nesil 3nm işleminde ise bu değerler sırasıyla %50, %30 ve %35’e yükseltilecek.
FinFET için sınırların sonuna gelen Koreli yarı iletken üreticisi, ilk kez uygulanan GAA teknolojisi olan Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ile birlikte performans sınırları aşmayı hedefliyor. Yeni teknikle birlikte besleme voltajı seviyesi azaltılırken güç verimliliği bir üst noktaya çıkıyor. Aynı zamanda sürücü akımı kapasitesiyle birlikte performans da artıyor.
Samsung, 3GAE çok yönlü alan etkili transistörlerini (GAAFET’ler) çok köprülü kanal alan etkili transistörler (MBCFET’ler) olarak markalıyor. Transistörlerin düşük kaçak akımı, kapı şimdi dört taraftan kanal tarafından çevrelendiğinden dolayı kilit özelliklerden biri olarak ön plana çıkıyor. Diğer bir avantaj ise kanallarda kalınlığın performansı artırmak ve güç tüketimini azaltmak için düzenlenebilir halde olması.
‘İlk üretim’ terimi farklı yorumlanabilir. Özetle, yarı iletken devi şu anda seri üretimin erken bir başlangıç aşamasında. Ancak her ne olursa olsun, Samsung Foundry, resmi olarak gate-all-around (GAA) transistörlere sahip dünyanın ilk çip üreticisi olarak markalaştırılabilir.
