SK Hynix, sektördeki en yüksek katman sayısına ulaşarak 238 katmana sahip 3D NAND yongaların üretimine başlayacağını duyurdu. Yeni 512 Gb (64 GB) çiplerle inşa edilen ürünlerin oldukça ucuz olacağı söyleniyor. Ayrıca 238 katmanlı 512 Gb 3D NAND tabanlı ürünler, çok sayıda katmana sahip flash belleklerin üretimi konusunda SK Hynix’in çok şey öğrenmesini sağlayacak.
İlk 3D NAND (veya 4D NAND olarak adlandırılabilir) yongalar, üç seviyeli hücre (TLC) mimarisine, 512 Gb (64 GB) kapasiteye ve 2400 MT/sn arayüz hızına (önceki nesle göre %50 artış) sahip. Ek olarak, yeni NAND depolama ürünleriyle okuma sırasında güç tüketimi %21 oranında düşecek. Bu da taşınabilir PC’ler ve akıllı telefonlar için bir avantaj olacak.
SK Hynix’in geliştirdiği yeni depolama birimleri, charge trap flash (CTF) tasarımının yanı sıra şirketin resmi olarak ‘4D’ NAND olarak adlandırdığı hücre altı çevre birimi (PUC-peripheral under cells) düzenine sahip. PUC, üreticinin cihazları biraz daha küçülterek NAND belleğin maliyetlerini düşürmesine imkan tanıyor.
512 Gb (64 GB) kapasiteli yongalar, hızlı ve ortaya seviyede yer alan SSD’ler üretme konusunda 1 Tb (128 GB) 232 katmanlı 3D NAND IC’lere göre belirli avantajlar sağlayabilir. Sekiz 512 Gb 3D NAND birimiyle birlikte 512 GB kapasiteli sürücüler inşa etmek mümkün. Böylelikle sekiz NAND kanalının tümü etkinleşiyor ve nispeten düşük bir maliyetle mümkün olan maksimum paralellik ve performans sağlanabilir.
SK Hynix, 2023’ün ilk yarısında 238 katmanlı 4D TLC NAND ürünlerin seri üretimine başlamayı planlıyor. Hatırlarsanız Micron, yalnızca birkaç gün öncesine kadar 232 katmanlı NAND teknolojisiyle liderliği ele almıştı. Koltuğun el değiştirmesi ise uzun sürmedi.
