Çin merkezli Yangtze Memory Technologies (YMTC), Xtacking NAND teknolojisinde (şu anda üçüncü neslinde) yeni bir nesle geçiş yaptığını duyurdu. Şirkete göre yeni NAND yongaları (X3-9070) önceki tasarımlara göre (128 katmanlı Xtacking 2.0 teknolojisine dayalı olarak) performansı %50 artırırken, yoğunluğu yonga başına iki katına (1 TB’a) çıkarıyor. Ayrıca artan performansa rağmen güç tüketiminin %25’e kadar azaldığı vurgulanıyor.
Forward Insights’ın kurucusu ve baş analisti Gregory Wong Çinli üreticinin teknolojileri hakkında değerlendirmeler yaptı:
“YMTC’nin kendi geliştirdiği Silicon Stack 3.0 mimarisinin ortaya çıkışı, 3D NAND yolunda önemli bir atılımdır. Depolama dizilerinin ve çevresel mantık devrelerinin hibrit bağlanması, 3D NAND teknolojisinin geliştirilmesi ve yenilikler söz konusu olduğunda oldukça gerekli.”
YMTC’nin Xtacking 3.0 teknolojisi, önceki neslin maksimum 1.600 MT/sn’lik hızına kıyasla 2.400 MT/sn’ye ulaşarak önceki %50’lik bir performans artışı getiriyor. Çinli üretici ayrıca geçmiş nesilde benimsenen 4 düzlemli tasarım yerine 6 düzemli NAND tasarımıyla hem performans hem de güç verimliliği geliştirmeleri sağlandığını belirtiyor. Yoğunluğun iki katına çıkması da küçümsenecek bir şey değil, veri depolama ihtiyacının sürekli arttığı bir dünyada önemli olan bir gelişme.
Teknolojik gelişimini sürdüren YMTC, hala Micron ve SK Hynix gibi diğer NAND üreticilerinin gerisinde. Micron, etkileyici yoğunluk ve performans özelliklerine sahip 232 katmanlı NAND teknolojisinin bu yılın sonlarına doğru seri üretime gireceğini söylemişti. SK Hynix ise 238 katmanlı “4D NAND” olarak adlandırılan yongaların üretimine 2023 yılının ilk çeyreğinde başlayacak.
