Samsung Electronics, yeni nesil Graphics Double Data Rate 7 yongalarını (GDDR7) tanıttı. Üretici, endüstrinin en yüksek hızını ve daha iyi verimliliğini vaat ediyor ve ilk ortakları doğrulama için bu yılın sonlarında çipleri teslim alacak.
Samsung’a göre yeni GDDR7 bellek modülleri (çip başına 16 Gb veya 2 GB), bant genişliğini %40 artırarak etkileyici 1,5 TB/sn (pin başına 32 Gb/sn) hız sağlıyor. Karşılaştırma için, Samsung’un geçen yıl duyurduğu GDDR6 yongaları 1,1 TB/sn’ye kadar çıkıyordu.
Önceki neslin Sıfıra Dönüşsüz (NRZ) yerine Darbe Genlik Modülasyonu-3 (PAM3) sinyalizasyon yöntemi sayesinde hız iyileştirmeleri mümkün oldu. Samsung, PAM3’ün aynı sinyal döngüsü içinde NRZ’den %50 daha fazla veri sağladığını iddia ediyor.
Hızı iyileştirmeye ve performansı artırmaya ek olarak, Samsung’un GDDR7 belleği güç tüketimini azaltıyor ve “yüksek hızlı işlemler için optimize edilmiş güç tasarrufu sağlayan tasarım teknolojisini” kullanarak %20 verimlilik artışı sağlıyor. Üreticiler, cihazlarını (dizüstü bilgisayarlar veya tabletler) düşük voltajlı bellekle donatma seçeneğine de sahip olacak. Yine de Samsung’dan kesin bir voltaj verisi yok.
Son olarak Samsung, GDDR7 belleğinin kafa dağılımını iyileştirmek ve yoğun yüksek hızlı işlemler sırasında istikrarlı performans sağlamak için yüksek termal iletkenliğe sahip bir epoksi kalıplama bileşiğine (EMC) sahip olduğunu söylüyor. GDDR6 bellek yongalarının ne kadar ısınabileceği bir sır değil. Bundan dolayı GDDR6’ya kıyasla %70 azaltılmış paket termal direnci sayesinde GDDR7 bu cephede gelişmeli.
GDDR7 DRAM’in iş istasyonları, PC’ler ve oyun konsolları gibi üstün grafik performansı gerektiren alanlarda kullanıcı deneyimlerini yükseltmeye yardımcı olacak ve yapay zeka, yüksek performanslı bilgi işlem (HPC) ve otomotiv araçları gibi gelecekteki uygulamalara da yayılması bekleniyor.
