Samsung, şirket tarafından 8. Nesil V-NAND olarak adlandırılan üç boyutlu NAND bellek üretimine başladığını duyurdu. Muhtemelen 236 katmana sahip olacak olan NAND çipler 2400 MT/sn aktarım hızına sahip ve gelişmiş bir kontrolcüyle bir araya geldiğinde 12.5 GB/sn’nin üzerinde aktarım hızı sunan SSD’lerde kullanılacak.
Seri üretime geçen V-NAND yongalar, sektörde en yüksek bit yoğunluğu sunan ürünler olarak nitelendirilirken 1 Tb (128 GB kapasiteye) sahip. Yüksek hızlı SSD’lerde yer alacak bu bellekler doğal olarak PCIe 5.0 x4 arayüzünde çalışacak. Samsung, yeni nesil 3D NAND belleklerin aynı kapasitedeki mevcut flash IC’lerine kıyasla wafer başına %20 daha yüksek verimlilik sunacağını iddia ediyor. Şirketin üretim maliyetleri düşerken bu da potansiyel olarak daha ucuz SSD’lerin tasarlanması için kapıları aralıyor.
Güney Koreli teknoloji devinin 8. Nesil V-NAND yongalarını kullanan hiçbir ürün henüz piyasada yok. Ancak ilk olarak sunucu tarafına ulaşacağını varsayabiliriz. Samsung Electronics Flash Ürün ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı SungHoi Hur, yeni teknolojileri hakkında şu sözlere yer veriyor:
“Pazarın daha yoğun, daha yüksek kapasiteli depolama talebi daha yüksek V-NAND katman sayılarını gerektirdiğinden, Samsung yüzey alanını ve yüksekliği azaltmak için gelişmiş 3D ölçeklendirme teknolojilerini benimsemeye devam ediyor. Sekizinci nesil V-NAND çözümümüz hızla büyüyen pazar talebini karşılamaya yardımcı olacak, gelecekteki depolama inovasyonlarının temelinde yer alacak daha farklılaştırılmış ürünler ve çözümler sunmak üzere piyasaya çıkacak.“
