Samsung, 8. nesil V-NAND belleğine göre yüzde 33 artış sunan 9. Nesil V-NAND flaş belleğinin seri üretimini duyurdu. 1 TB TCL 9. Nesil V-NAND seri üretimi başlarken dört seviyeli hücre (QLC) modeli seri üretimi ise bu yılın 2. yarısında başlayacak.
Sektörün en küçük hücre boyutuna ve en ince kalıbına sahip olan Samsung, 9. nesil V-NAND’ın bit yoğunluğunu 8. nesil V-NAND’a kıyasla yaklaşık %50 artırıyor. Ürün kalitesini ve güvenilirliğini artırmak için hücre girişiminin önlenmesi ve hücre ömrünün uzatılması gibi yeni yenilikler uygulanırken boş kanal deliklerinin ortadan kaldırılması, bellek hücrelerinin düzlemsel alanını önemli ölçüde azaltmış durumda.
Samsung’un gelişmiş “kanal deliği aşındırma” teknolojisi, şirketin süreç yeteneklerindeki liderliğini ortaya koyuyor. Bu teknoloji, kalıp katmanlarını istifleyerek elektron yolları oluşturuyor ve çift yığınlı bir yapıda endüstrinin en yüksek hücre katmanı sayısının eş zamanlı olarak delinmesini mümkün kılarak üretim verimliliğini en üst düzeye çıkarıyor. Hücre katmanlarının sayısı arttıkça, daha yüksek hücre sayılarını delme yeteneği daha önemli hale geliyor ve daha karmaşık gravür teknikleri gerektiriyor.
9. nesil V-NAND, saniyede 3,2 gigabit’e (Gbps) kadar yüzde 33 oranında artırılmış veri giriş/çıkış hızlarını destekleyen yeni nesil NAND flaş arayüzü “Toggle 5.1″ ile donatılmış. Bu yeni arayüzün yanı sıra Samsung, PCIe 5.0 desteğini genişleterek yüksek performanslı SSD pazarındaki konumunu sağlamlaştırmayı planlıyor.
Düşük güç tasarımındaki gelişmeler sayesinde güç tüketimi de önceki nesle kıyasla yüzde 10 oranında iyileştiriliyor. Enerji kullanımını ve karbon emisyonlarını azaltmak müşteriler için hayati önem taşırken Samsung’un 9. nesil V-NAND’ının gelecekteki uygulamalar için en uygun çözüm olması bekleniyor.
Samsung Electronics Bellek İşi Flaş Ürün ve Teknolojisi Başkanı SungHoi Hur’un açıklaması şu şekilde: “Gelecekteki uygulamalarda atılımlar gerçekleştirecek olan sektörün ilk 9. nesil V-NAND’ını sunmaktan heyecan duyuyoruz. NAND flaş çözümlerine yönelik gelişen ihtiyaçları karşılamak amacıyla Samsung, yeni nesil ürünümüz için hücre mimarisi ve operasyonel şemada sınırları zorladı. Samsung, en yeni V-NAND ürünümüz aracılığıyla, gelecek yapay zeka neslinin ihtiyaçlarını karşılayan yüksek performanslı, yüksek yoğunluklu katı hal sürücüsü (SSD) pazarına yönelik trendi belirlemeye devam edecek.”
Samsung, bu ay 1 TB TLC 9. nesil V-NAND için seri üretime başladı ve bunu bu yılın ikinci yarısında dört seviyeli hücre (QLC) modeli takip edecek.
