Samsung, yeni nesil yüksek kapasiteli SSD için yeni QLC V-NAND yongalarının seri üretimine başladı. Samsung, resmi blogunda 9. nesil QLC V-NAND’ının yapay zeka çağı için “birkaç çığır açan teknolojiyi” birleştirdiğini ve artan yoğunluk, daha büyük kapasite, daha yüksek hız ve daha düşük enerji tüketimi için birden fazla iyileştirme sunduğunu iddia ediyor.
Yeni 1 TB dört seviyeli hücre (QLC) V-NAND yongaları, Samsung’un Nisan 2024 tarihinde üretmeye başladığı 9. nesil TLC V-NAND belleğini takip ediyor. Samsung’a göre yeni QLC yongaları, özellikle kurumsal SSD pazarında yapay zeka çağının ihtiyaçlarını karşılayacak.
Samsung’un Kanal Deliği Aşındırma teknolojisi sayesinde, 9. nesil dört seviyeli hücreler önceki nesil QLC V-NAND yongalarından %86 daha yüksek yoğunluğa sahip. Samsung ayrıca katmanlar arasında hücre özelliklerini optimize etti ve bunun sonucunda veri tutma performansında yaklaşık %20’lik bir artış elde edildi. Son olarak yongalar, bellek hücresi durumunu öngören ve kontrol eden Tahmini Program teknolojisi sayesinde yaklaşık %60 daha hızlı giriş/çıkış hızlarında çalışıyor.
Samsung, düşük güç tasarımı ve voltaj gereksiniminin azaltılması sayesinde okuma ve yazma enerji tüketiminin %30 okuma ve %50 yazma oranında azaldığını iddia ediyor.
İlk odak noktası kurumsal pazar olsa da Samsung, 9. nesil QLC V-NAND bellek yongalarının uygulamasını yüksek kapasiteli SSD’ler ve modern akıllı telefonlar için UFS (Evrensel Flash Depolama) gibi tüketici ürünlerine de genişletmeyi planlıyor.
