Moore Yasası, Intel şirketinin kurucularından Gordon Moore'un kendi adını verdiği yasa.
Moore'a göre mikroçiplerin içerisine yerleştirilebilen transistör sayısı her 18 ayda bir iki katına çıkacaktır. Transistör boyutları küçülürken mikroişlemci kapasitelerinde yüksek bir artış gözlenir ve güç kullanımı azalır. Üretim maliyetinde herhangi bir değişim olmaz veya düşüş olabilir. Moore ilk defa 1965 yılında Electronics Magazine dergisindeki makalesinde yayınlan yazıda 18 ay olarak bahsettiği süreyi, 1975 yılında değiştirmiş ve 2 yıl demiştir.
Yasa günümüze kadar geçerli olsa da silisyum atomunun ve üretimde kullanılan morötesi ışık dalga boyutlarının sınırlı olmasından ayrıca atom altı kuvvetlerinin transistörün çalışmasını engellemeye başlamasından dolayı herhangi bir yeni üretim teknoloji bulunmadığı takdirde Moore yasası önümüzdeki birkaç yılda geçerliliğini yitirecektir.
IBM'in son açıklamasında 2 nanometre üretim teknolojisi ile ile çip ürettiklerini belirtmişlerdir ve bunun karşılığı 2,0 × 10^-6 mm yani yaklaşık 10 - 18 silisyum atomu boyutlarında üretim yapabildikleridir.
*Mikroişlemcinin iç yapısının elektron mikroskobunda görüntülenmiş hali.
Moore'a göre mikroçiplerin içerisine yerleştirilebilen transistör sayısı her 18 ayda bir iki katına çıkacaktır. Transistör boyutları küçülürken mikroişlemci kapasitelerinde yüksek bir artış gözlenir ve güç kullanımı azalır. Üretim maliyetinde herhangi bir değişim olmaz veya düşüş olabilir. Moore ilk defa 1965 yılında Electronics Magazine dergisindeki makalesinde yayınlan yazıda 18 ay olarak bahsettiği süreyi, 1975 yılında değiştirmiş ve 2 yıl demiştir.
Yasa günümüze kadar geçerli olsa da silisyum atomunun ve üretimde kullanılan morötesi ışık dalga boyutlarının sınırlı olmasından ayrıca atom altı kuvvetlerinin transistörün çalışmasını engellemeye başlamasından dolayı herhangi bir yeni üretim teknoloji bulunmadığı takdirde Moore yasası önümüzdeki birkaç yılda geçerliliğini yitirecektir.
IBM'in son açıklamasında 2 nanometre üretim teknolojisi ile ile çip ürettiklerini belirtmişlerdir ve bunun karşılığı 2,0 × 10^-6 mm yani yaklaşık 10 - 18 silisyum atomu boyutlarında üretim yapabildikleridir.
*Mikroişlemcinin iç yapısının elektron mikroskobunda görüntülenmiş hali.
Son düzenleme:
