Samsung, 3nm GAA Teknolojisiyle Intel ve TSMC’nin Önüne Geçti
Samsung, bu yıl 3GAE (3nm-sınıfı, gate-all-around) süreç teknolojisini kullanarak hacimli çip üretimine başladığını duyurmuştu. Şirket duyurusunda ser verip sır vermezken ...
Anasayfa - MBCFET
Samsung, bu yıl 3GAE (3nm-sınıfı, gate-all-around) süreç teknolojisini kullanarak hacimli çip üretimine başladığını duyurmuştu. Şirket duyurusunda ser verip sır vermezken ...
Samsung, Gate-All-Around (GAA) işlem tekniğiyle birlikte 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 ...
TSMC, yeni teknolojileri geciktirmesiyle beraber, Intel ve Samsung'un gerisine düşecek. TSMC şu anda en gelişmiş yarı iletken şirketi olarak görülüyor. ...
© 2025 Technopat
Sorularınız için Technopat Sosyal