3D XPoint Hafıza 20 Nanometre Üretilecek

Intel ve Micron tarafından ortaklaşa geliştirilen yeni 3D XPoint hafıza bellekleri, başlangıçta 20 nm ölçeğinde üretilecek.

Geçtiğimiz günlerde Intel ve Micron tarafından resmen açıklanan 3D XPoint hafıza teknolojisinin yakında üretime gireceğini haber yapmıştık. Bu yeni hafıza teknolojisi, stratejik önemi nedeniyle Çin ya da benzeri yabancı bir ülkede değil, doğrudan Amerika’nın Utah eyaletindeki tesislerde üretilecek.

Teknolojiyi geliştiren Intel ve Micron, 3D XPoint hakkında çok detaylı vermekten kaçınıyorlar. Ancak bilinen şu ki, bu yeni bellek türünde herhangi bir transistör kullanılmıyor. Üretiminde içeriği sır olarak saklanan sıra dışı bir metal alaşıma yer verilen bellekler, metal hatların kesişim noktalarının mantık kapıları şeklinde çalışmasıyla veri depoluyor. Bu hafıza modülleri en gelişmiş NAND Flash belleklerden 1,000 kat daha hızlı ve aynı oranda daha uzun ömürlüler. Ayrıca elektrik kesildiğinde içlerindeki verileri de kaybetmiyorlar.

Utah eyaletindeki Lehigh kentindeki tesislerde üretilecek olan bu yeni bellekler, ilk başta 20 nm ölçeğinde üretilmeye başlanacak. Zaten klasik anlamda transistör içermeyen bu bellekler, 20 nm ölçeğinde bile yonga başına 16 GB kapasite ortaya koyuyorlar. Aynı kapasitede bir NAND bellek ise ancak 16 nm ölçeğinde üretimle mümkün olabiliyor.

3D XPoint teknolojisine sahip ilk bellek modüllerinin çok yakında üretilmeye başlanacağı bildiriliyor. 2015 bitmeden ilk örneklerin fırınlardan çıkmış olması, 2016 içinde ise seri üretime geçilmesi planlanıyor. Tabii bu yeni teknolojinin kesin maliyeti henüz açıklanmıyor, bu yüzden son kullanıcıya yönelik bir ürün yakında çıkar mı, çıkarsa da hangi etiketle gelir, orası pek belli değil.