Samsung’un Galaxy S8 modelinde kullanacağı işlemciler 10 nm ölçeğinde üretilecek.
Samsung bir sonraki üst seviye telefonu Galaxy S8 modelinde kullanacağı yongaların (SoC) üretimine başladığını duyurdu. 10 nm FinFET üretim teknolojisiyle üretilecek olan bu yongalar, bu ölçekteki ilk nesil olacak.
10 nm FinFET üretim teknolojisi, her silikon tabakadan %30 oranında daha fazla işlemci çıkarılmasına imkan tanıyor. Bu işlemcilerin çalışma esnasında bir önceki nesile göre %40 daha az enerji tükettiği, ortalama %27 civarında daha fazla performans sağladığı da ifade edildi.
Bu yeni 10 nm üretim mimarisinde üç boyutlu transistör yapısı da ilk kez kullanılıyor. Transistörü oluşturan şekiller silikon üzerine üç kez üst üste işleniyor ve böylece derinlik kazanması sağlanıyor. Bu işlem bittikten sonra kesim aşamasına geçiliyor.
Samsung bu ilk nesil işlemcileri 2017 yılının ilk yarısında kullanıma sokmuş olacak. Yeni işlemcilerin kullanılacağı ilk telefon da Galaxy S8 olacak. Daha gelişmiş ikinci nesil 10 nm işlemciler 10LLP teknolojisiyle üretilecek ve 2017’nin ikinci yarısından itibaren kullanıma girecek.
