Samsung tarafından geliştirilen Z-NAND teknolojisi, 3D XPoint hafızaya karşı hayli iddialı görünüyor.
Intel, Optane hafızalarıyla geleneksel sabit disklere tampon depolama alanı sağlayarak verilere daha hızlı erişim sağlıyor. Diğer taraftan geleneksel bilgisayar sistemini komple değiştirecek, Optane DIMM modülleri üzerine çalışmalar devam ediyor.
Önemli NAND çipi üreticilerinden Samsung, Intel’in Micron ortaklığıyla geliştirdiği 3D XPoint hafıza çiplerine alternatif geliştirmekle meşgul. Samsung’un Z-NAND adını verdiği yeni çipler, kontrolcüler üzerinde yapılacak düzenlemeler ve geliştirmelerle yüksek IOPS değerlerine ulaşabilir.
3D XPoint bellek çiplerinin 10 mikrosaniyelik gecikme süresine karşılık, Z-NAND modüller 16 mikrosaniyeye ulaşabiliyor. Arada hala gecikme süresi farkı bulunsa da, Intel’in 750 GB Optane P4800X’iyle karşılaştırılan 800 GB SZ985 çözümü, rastgele okuma hızında 750K’ya 550K’lık bir üstünlüğe sahip.
Rastgele yazma hızında Samsung 175K değerine ulaşırken, Intel Optane 550K ile üstünlük sağlıyor. Okuma/yazma bant genişliğine bakıldığında ise Z-NAND 3.2 GB/s ve 3.2 GB/s değerleri üretebilirken, Intel ancak 2.4 GB/s ve 2.0 GB/s değerlerini verebiliyor. Her iki teknolojinin de kullanım ömrü birbirine denk.
