Samsung, eUFS 3.1 Depolama Teknolojisini Duyurdu

Yeni eUFS 3.1 depolama teknolojisi 1200 MB/s sıralı yazma hızlarına erişebilirken, 8K video kaydı için kapılar aralanıyor.

Samsung Electronics, amiral gemisi akıllı telefonlarda kullanılmak üzere endüstrinin ilk 512 GB eUFS 3.1 belleğini (dahili Evrensel Flash Depolama) üretmeye başladığını duyurdu. Önceki 512 GB eUFS 3.0 mobil belleğin üç katı yazma hızı sunan yeni eUFS 3.1 teknolojisi, akıllı telefon depolama alanındaki 1 GB/sn yazma performans eşiğini kırıyor.

Samsung Electronics Bellek Satış ve Pazarlama Genel Başkan Yardımcısı Cheol Choi, “Hızlı mobil depolama alanı teknolojimiz ile akıllı telefon kullanıcılarının artık geleneksel depolama kartlarıyla karşılaştıkları darboğazdan dolayı endişe etmeleri gerekmeyecek. Yeni eUFS 3.1, bu yıl küresel akıllı telefon üreticilerinin hızla artan taleplerini destekleme konusundaki kararlılığımızı yansıtıyor.” dedi.

Samsung 512 GB eUFS 3.1, 1200 MB/sn üzerinde sıralı yazma hızı sunuyor. Bu da SATA tabanlı bir bilgisayarın (yaklaşık 540 MB/s) iki katından daha yüksek bir hız anlamına geliyor. Bir UHS-I microSD kartın ortalama değerleri ise 90 MB/sn’ye ulaşabiliyor. Böylece kullanıcılar 8K videolar veya büyük boyutlu fotoğraf dosyalarını arabellek kullanmadan ve hızlı bir şekilde saklayabilecek.

Yeni eUFS 3.1’e sahip telefonlarda 100 GB veri taşımak yalnızca 1.5 dakika sürerken, UFS 3.0 tabanlı telefonlar dört dakikadan uzun sürüyor. 512 GB eUFS 3.1, yaygın olarak kullanılan UFS 3.0 sürümüne göre verileri yüzde 60’a kadar daha hızlı işleyebiliyor. Şirket, okuma için 100.000 IOPS ve yazma işlemleri için 70.000 IOPS gibi değerler sunulduğunu belirtiyor.

512 GB depolama seçeneğine ek olarak Samsung, gelecekte çeşitli iş ortaklarına 256 GB ve 128 GB bellek seçenekleri de sunacak. Bu akıllı telefon üreticileri, böylece yılın dördüncü çeyreğinde geleceği söylenen 150 MP Nonacell sensöründen faydalanabilir hale gelebilir.