Yüksek performanslı bilgi işlem gerektiren sistemlerde kullanılacak yüksek hızlı HBM2E bellekler, SK Hynix üretim bantlarından çıkacak.
SK Hynix, yüksek hızlı yüksek hızlı DRAM geliştirmelerine başladıklarını geçtiğimiz Ağustos ayında açıklamıştı. Aradan geçen ayların ardından HBM2E’nin tam ölçekli seri üretimi başladı.
SK Hynix’in HBM2E teknolojisi, pin başına 3,6 Gbps hız performansına dayalı olarak 1.024 I/O ile saniyede 460 GB hızı destekliyor. Bu, saniyede 124 adet full HD film aktarımı yapabilen, sektördeki en hızlı DRAM çözümü niteliğinde. Bellek yoğunluğu olarak, sekiz adet 16 Gb yonga TSV (Silikon Üzerinden) ile dikey olarak istiflenebiliyor ve 16 GB’lık boyutu ile önceki nesil HBM2’nin iki katına çıkıyor.
Yeni HBM2E bellek çözümü yüksek hız, yüksek kapasite ve düşük güç sunuyor. Bu çözüm yüksek seviye bilgi işlem performansı gerektiren Derin Öğrenme Hızlandırıcısı ve Yüksek Performanslı Bilgi İşlem dahil olmak üzere yeni nesil AI (Yapay Zeka) sistemleri için hazırlandı. Ayrıca iklim değişikliği, biyoloji, uzay araştırmaları ve sağlık gibi yeni nesil temel ve uygulamalı bilim araştırmalarında kullanılan süper bilgisayarlarda yerini alacak.
SK Hynix HBM2E Özellikleri
- HBM (Yüksek Bant Genişliğine Sahip Bellek): Geleneksel DRAM’lere göre veri işleme hızını önemli ölçüde hızlandırmak için kullanılan TSV teknolojisi ile yüksek performanslı ve yüksek bant genişliğine sahip bellekler.
- Mevcut paketleme yöntemlerine göre boyutta %30’a kadar azalma ve güç tüketiminde %50’ye kadar azalma.
- Üst ve alt tarafta konumlandırılmış çiplerin haberleşmesi için kullanılan ve binlerce ince delikten oluşan bağlantı teknolojisi.
Veri İşlem Hızı Dönüştürme Standartları
- 1 GB = 8 Gbps
- 1024 adet I/O ile pin başına 3.6 Gb/s = = 3686.4 Gbps
- 3686.4 Gbps/8 = 460.8 GB/s
İlginizi çekebilir: Micron, HBM2 Bellek Üretimine Başlıyor
