Mikroelektronik endüstrisi için standartların geliştirilmesine öncülük eden JEDEC Solid State Technology Association, High Bandwidth Memory (HBM) DRAM standardının yeni sürümünü yayınladı. JEDEC web sitesinden ulaşılabilen HBM3 standardı (JESD238), grafik işleme, yüksek performanslı bilgi işlem ve sunucular dahil olmak üzere çeşitli alanlar için daha yüksek bant genişliği ve daha düşük güç tüketimi getirecek.
Sektördeki Micron, SK hynix, Synopsys ve NVIDIA gibi isimler HBM3 teknolojisini desteklediğini açıkladı. Böylelikle gelecekte yüksek performanslı HBM3 bellekler yaygınlaşmaya başlayacak. Yeni standardın sunduğu yeniliklere bakacak olursak;
HBM3 Temel Özellikleri
- HBM2 neslinin pin başına veri hızını iki katına çıkarmak ve cihaz başına 819 GB/s’ye eşdeğer 6,4 Gb/sn’ye kadar veri hızları.
- 8’den (HBM2) 16’ya çıkan bağımsız kanal sayısı. Her kanalda kullanılan iki kanalla birlikte toplam 32 kanal desteği.
- 4-high, 8-high ve 12-high TSV yığınlarını destekleme ve gelecekte 16 yüksek TSV yığınına genişletme desteği.
- Bellek katmanı başına 8 Gb ile 32 Gb arasında geniş bir yoğunluk yelpazesi etkinleştiriliyor ve cihaz yoğunluklarını 4 GB (8 Gb 4-high) ila 64 GB (32 Gb 16-high) arasında kapsanacak. İlk nesil HBM3 ürünlerin 16 Gb bellek katmanına dayanması bekleniyor.
- Yüksek platform düzeyinde RAS (güvenilirlik, kullanılabilirlik, hizmet verilebilirlik) için pazar ihtiyacını ele alan HBM3, güçlü, sembol tabanlı ECC on-die’nin yanı sıra gerçek zamanlı hata raporlama ve şeffaflık sunuyor.
- Ana bilgisayar arayüzünde düşük salınımlı (0,4V) sinyalizasyon ve daha düşük (1,1V) çalışma voltajı kullanılarak iyileştirilmiş enerji verimliliği.
