Çip üreticileri, transistör tasarımlarını küçültmek için gece gündüz çalışırken son dönemde bu süreç daha da zorlaştı. Çin’deki bir araştırma ekibi ise şimdiye kadarki en küçük transistör tasarımını geliştirdiğine inanıyor.
Bilim insanları ve mühendisler, onlarca yıldır transistörleri en küçük boyutlara taşımak için enerji harcıyor. 1950’lerdeki ilk entegre devrelerden bu yana, transistörlerin minyatürleştirilmesindeki ilerleme hızı, entegre çiplerdeki aktif bileşenlerin yoğunluğunun her iki yılda bir ikiye katlanacağını öngören Moore Yasasını izledi. Bildiğiniz gibi bu ilerleme son yıllarda önemli ölçüde yavaşladı. Bunun ana nedeni, mevcut malzemeler ve sahip olduğumuz en gelişmiş üretim süreçleri ile mümkün olanın fiziksel sınırlarına hızla yaklaşıyor olmamız.
Çinli araştırmacılar ise yeni yayınladıkları bir makalede, şimdiye kadar bildirilen en küçük kapı uzunluğuna sahip transistörü geliştirdiklerini açıkladılar. Bu dönüm noktası, grafen ve molibden disülfürün yaratıcı bir şekilde kullanılması, ayrıca bunların iki basamaklı bir merdiven yapısına istiflenmesiyle mümkün oldu.
Tsinghua Üniversitesi araştırmacısı Tian-Ling Ren çalışmanın yazarlarından biri ve bunun “Moore Yasası için son teknik” olabileceğini söyledi. Ayrıca kapı boyutu için 0.34 nm’den daha küçük bir boyuta geçmenin neredeyse imkansız olduğuna inanıyor.
Yeni teknolojinin arkasındaki araştırmacılar, gerekli katmanların hassas konumlandırılması için yeni bir süreç icat etmeden, tek atomlu ince malzemeler kullanılarak işlevsel bir transistörün yapılabileceğini kanıtladı. Milyarlarca transistör kullanmak halen bir hayal ama bu yönde atılan kritik adımlar gelecekte daha hızlı ve verimli cihazlar için umut veriyor.
Bu arada Samsung, Intel ve TSMC gibi devler gate-all-around (GAA-FET) transistörler ve ara bağlantı tasarımlarını standartlaştırmak için çok çalışıyor.
