Samsung, bu çeyrekte 3GAE (3nm sınıfı-class gate all-around early) sürecini kullanarak yüksek hacimli üretime başlama yolunda olduğunu duyurdu. Böylelikle yalnızca endüstrinin ilk 3nm sınıfı üretim teknolojisi değil, aynı zamanda çok yönlü alan etkili transistörler (GAAFET) ilk kez kullanılmaya başlayacak.
3GAE işlemi, şirketin resmi olarak çok köprü kanallı alan etkili transistörler (MBCFET) olarak adlandırdığı GAA transistörlerini kullanan ilk şirket içi teknoloji. Samsung, yaklaşık üç yıl önce 3GAE ve 3GAP tekniğini resmi olarak tanıtmıştı.
Teknoloji devi, 3GAE teknolojisi kullanılarak ürettiği 256Mb GAAFET SRAM yongasını tarif ederken bir takım iddialarda bulundu. Güney Koreli şirket sürecin %30 performans artışı, %50 güç verimliliği ve %80’e kadar daha yüksek transistör yoğunluğu (bir mantık ve SRAM transistör karışımı dahil) sağlayacağını söyledi. Ancak bu geliştirmelerin nihai ürünlerde performans ve güç tüketimine nasıl katkıda bulunacağını zaman içinde göreceğiz.
Yeni bir transistör yapısına geçiş işlemi, tamamen yeni araçların yanı sıra yepyeni bir üretim sürecini içerdiğinden dolayı oldukça riskli. Diğer zorluklar arasında ise yeni süreçlerle birlikte tanıtılan ve yeni elektronik tasarım otomasyonu (EDA) yazılımı tarafından ele alınan yeni yerleştirme metodolojileri, kat planı kuralları ve yönlendirme kuralları yer alıyor. Son olarak, çip tasarımcılarının oldukça pahalı olan tamamen yeni bir IP geliştirmeleri gerekiyor.
