Intel’in yarı iletken teknolojileri, özellikle 14nm sürecinde çok fazla tartışmaya konu oldu. Üretimi yıllar süren 10nm işlemciler birden çok kez ertelendi ve son tüketiciye ulaşması zaman aldı. Mavi takım son dönemde işleri toparlarken yıllar sonrasına uzanan planlar açıklamıştı. Şimdi ise VLSI Sempozyumu’nda Intel 4 adı verilen üretim teknolojisi hakkında daha fazla bilgi edindik.
Daha önce 7nm olarak adlandırılan Intel 4, şirketin çeşitli farklı teknolojilerle birlikte EUV litografisini kullanan ilk üretim teknolojisi. Yeni bir fabrikasyon teknolojisi gün yüzüne çıktığında akla gelen ilk şey yoğunluktur. Bu yeni teknik, Intel 7 (10nm SuperFin) ile kıyaslandığında aynı alan için transistör sayısını iki katına çıkaracak ve %20 daha yüksek performanslı transistörler sağlayacak.
Bireysel transistör boyutuna bakıldığında Intel 4 teknolojisi oldukça küçük bir silikon parçasını temsil ediyor. 30nm Fin Pitch, kapılar arasında 50nm Contact Gate Poly Pitch ve 50nm Minimum Metal Pitch (M0) ile Intel 4 transistörü, tabloda listelenen Intel 7 hücresine kıyasla önemli ölçüde daha küçük. Ölçeklendirme açısından Intel 4, Intel 7’ye kıyasla aynı alanda iki kat daha fazla transistör sunabiliyor. Ancak bu bu sürecin farklı detayları var. Intel 7 üzerinde oluşturulan aynı SoC, Intel 4’ün yarısı kadar olmayacak. Intel 7 ile milimetre kareye 80 milyon transistör sığarken, Intel 4 ile bu miktar 160 milyona çıkabiliyor.
Intel 4’ün üretim sürecinde şirket ilk kez EUV kullanıyor ve harika sonuçlar elde ediyor. Son olarak bu yeni transistörlerin performansına gelelim. Intel, 0,65 iso-power’da Intel 4 ile sürdürülebilir frekansta %21,5’lik bir kazanç bildiriyor. 0,84 Volt gibi daha yüksek güçte, eğri düzleşerek yaklaşık %10 iyileşme sağlıyor. Iso-frequency (frekans) testleri söz konusu olduğunda ise Intel, 2,1 GHz transistör anahtarlama hızında ölçülen %40 daha düşük güç tüketiminden bahsediyor.
Yeni Intel 4 teknolojisini temel alan ürünler, 14. Nesil Meteor Lake ailesiyle birlikte 2023 yılında piyasaya çıkacak.
