Samsung Electronics, gelecek yıl üretimine başlayacağı 9. Nesil 3D-NAND bellekleri için çift yığınlı mimari kullanmaya hazırlanıyor. Bir başka bellek üreticisi SK Hynix, 2025’in ilk yarısında seri üretime geçtiğinde 321 katmanlı 3D NAND yongalarını oluşturmak için üç NAND dizisi kullanmayı planlıyordu. Samsung ise üretim farklılıklarıyla rakibinden ayrışıyor.
Samsung’un 300’den fazla katmana sahip 9. Nesil V-NAND çipleri, ilk kez 2020 yılında 7. nesil 176 katmanlı 3D NAND belleklerle birlikte kullanılmaya başlanan çift yığın tekniğine dayanacak. Peki bu süreç nasıl işliyordu? 300 mm’lik yonga plakası üzerinde bir 3D NAND dizisi üretiliyordu ve ardından ilk dizinin üzerine başka bir yığın daha dahil ediliyordu. Şirket görünüşe göre 300 katmana ulaşmak için aynı yöntemi kullanmaya devam edecek. 300 katmanlı 3D NAND ile birlikte depolama yoğunluğu artacak, böylelikle SSD üreticileri yüksek kapasiteli SSD’leri daha düşük maliyetlerle üretebilecek.
Buna karşın SK Hynix, üçlü yığın yaklaşımı kullanarak 321 katmanlı 3D NAND üretimine 2025 yılında başlama niyetini açıkladı. Samsung’unkinden farklı olan bu yaklaşımla birlikte üç farklı 3D NAND katman seti oluşturulacak. Böylelikle ham madde kullanımı ve kullanılan wafer sayısı da artmış oluyor.
Sızdırılan bilgilere göre Samsung, 10. Nesil 3D NAND teknolojileriyle 430 katmana kadar çıkmayı planlıyor. Teknoloji devi 430 katmana çıkmak için tıpkı SK Hynix gibi üç yığınlı üretim tekniğinden faydalanacak.
