Bellek üreticilerinden SK Hynix, 321 katmanlı 4D NAND flaş teknolojisi üzerine kurulu UFS 4.1 depolama çözümlerinin hazır olduğunu duyurdu. Gelişmiş UFS 4.1 NAND çipleri sayesinde 512 GB ve 1 TB kapasitelere ulaşmak daha kolay hale gelecek.
Başlamadan UFS (Universal Flash Storage-Evrensel Flash Depolama) teknolojilerinin akıllı telefonlara yönelik olduğunu not edelim. Yüksek yoğunluğa sahip UFS 4.1 yongaların 2026 yılının ilk çeyreğinde akıllı telefonlarda yerini alması bekleniyor. Yeni NAND modüllerin önceki nesle göre %15 daha ince olduğu, ayrıca düşük güçte “sınıfının en iyisi ardışık okuma performansını” sunduğu söyleniyor.
SK Hynix, dördüncü nesilde sunulan hızlı sıralı okuma hızlarını korurken, aynı zamanda rastgele okuma ve yazma hızını da artırarak üstün performans sağladıklarını iddia ediyor. Rastgele okuma ve yazma hızları sırasıyla %15 ve %40 oranında artırıldı, bu da çoklu işlemlerde önemli fayda sağlayacak.
Güney Koreli bellek üreticisi, aynı 321 katmanlı 4D NAND flaş yongalarının yıl içinde bilgisayar SSD’lerinde de kullanılacağını söyledi. Sürücülerin performans açısından 4.300 MB/sn’ye varan aktarım hızları sunduğu belirtiliyor.
