Etiket: GAAFET

Samsung, Gate-All-Around (GAA) işlem tekniğiyle birlikte 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 ...

Samsung, bu çeyrekte 3GAE (3nm sınıfı-class gate all-around early) sürecini kullanarak yüksek hacimli üretime başlama yolunda olduğunu duyurdu. Böylelikle yalnızca ...

TSMC, yeni teknolojileri geciktirmesiyle beraber, Intel ve Samsung'un gerisine düşecek. TSMC şu anda en gelişmiş yarı iletken şirketi olarak görülüyor. ...

5nm üretiminden faydalanan cihazlar yeni yeni piyasada yer almaya başlamışken 2nm teknolojisi için planlar yapılmaya başladı. Yarı iletken devi TSMC, ...

Uzun yıllardır FinFET üretiminden faydalanan yarı iletken şirketleri, GAAFET sürecine geçmek için hazırlıklar yapıyor. Intel'in planı ise en geç 5 ...