Bellek pazarında lider konumda olan Samsung, yüksek hızlı HBM2E bellek teknolojisini kullanıma sunuyor.
Samsung Electronics, üçüncü nesil High Bandwidth Memory 2E (HBM2E) Flashbolt’un piyasaya sürüldüğünü duyurdu. Yeni bellek teknolojisi, yüksek performanslı bilgi işlem ve süper bilgisayarlarda yapay zeka veri işlemlerini hızlı bir şekilde tamamlamak için geliştirildi.
Yeni Flashbolt, önceki nesil 8 GB HBM2 ‘Aquabolt’ kapasitesinin iki katını sunmaya hazır durumda. HBM2E”nin 16 GB’lık kapasitesi, sekiz adet 16 GB DRAM katmanının üst üste istiflenmesiyle elde edildi. Bunun yanında 3.2 Gbps verim aktarım hızı ile birlikte 410 GB/s bellek bant genişliği sunuluyor. Ayrıca gelecekteki belirli uygulamalarda bu değer 538 GB/s seviyelerine çıkabilecek. Eski nesil Aquabolt’da bu hız 307 GB/sn değerlerine ulaşabiliyordu. Örneklendirecek olursak, yeni teknoloji ile birlikte RX Vega 56’da kullanılan bellekten 2 kat daha fazla hız sağlanmış.
Samsung’un Bellek Satış ve Pazarlama Genel Başkan Yardımcısı Cheol Choi, “Bugün mevcut olan en yüksek performanslı DRAM’ın piyasaya sürülmesiyle, hızla büyüyen premium bellek pazarında lider yenilikçi rolümüzü geliştirmek için kritik bir adım atıyoruz” dedi.
Samsung, bu yılın ilk yarısında seri üretime başlamayı planlıyor. Flashbolt HBM2E belleğinin tüketici sınıfı veya kurumsal bir ürün için ne zaman hazır olacağı ise henüz bilinmiyor.
| Samsung HBM2 Bellek Karşılaştırması | ||||||||
| Flashbolt | Aquabolt | Flarebolt | ||||||
| Kapasite | 16 GB | 8 GB | 8 GB | 4 GB | 8 GB | 4 GB | ||
| Veri Aktarım Hızı | 3.2 Gb/s | 2.4 Gb/s | 2 Gb/s | 2 Gb/s | 1.6 Gb/s | 1.6 Gb/s | ||
| DRAM IC Sayısı | 8 | 8 | 8 | 4 | 8 | 4 | ||
| DRAM IC Teknolojisi | ? | 20 nm | ||||||
| Etkili Veri Yolu Genişliği | 1024-bit | |||||||
| Voltaj | ? | 1.2 V | 1.35 V | 1.2 V | ||||
| Bant Genişliği | 410 GB/s | 307.2 GB/s | 256 GB/s | 204.8 GB/s | ||||
İlginizi çekebilir: Western Digital, Yeni 3D NAND Bellek Teknolojisini Duyurdu
