Samsung, 3nm GAA Teknolojisiyle Intel ve TSMC’nin Önüne Geçti

Ali Güngör

Technopat'ın Kurucusu ve Genel Müdürü
Yönetici
Katılım
22 Haziran 2011
Mesajlar
63.428
Makaleler
2
Çözümler
29
Yer
İstanbul Türkiye
Daha fazla  
Cinsiyet
Erkek
Meslek
Technopat
Profil Kapağı
1523300036
Samsung-Yari-Iletken-Transistor-2nm-Teknoloji-Cip.jpg

Samsung, bu yıl 3GAE (3nm-sınıfı, gate-all-around) süreç teknolojisini kullanarak hacimli çip üretimine başladığını duyurmuştu. Şirket duyurusunda ser verip sır vermezken bu öncü teknolojilerin hangi cihazlarda kullanılacağından hiç bahsetmedi. Görünüşe göre şirket, kripto para madenciliği için özel bri entegre devre (ASIC) üretmek üzere 3GAE tekniğini kullanıyor. 3GAE üretim teknolojisi, Samsung’un MBCFET’ler (multi-bridge channel field-effect transistors) olarak […]

Devamı: Samsung, 3nm GAA Teknolojisiyle Intel ve TSMC’nin Önüne Geçti
Kaynak Technopat

Devamı için yukarıdaki bağlantıya tıklayın...
 

Technopat Haberler

Yeni konular

Geri
Yukarı