Samsung, 850 EVO serisindeki NAND belleklerini güncelledi. İlk seri 850 EVO serisinde NAND'ların katman sayısı 32 iken, güncellenmiş serideki NAND katman sayısı 48 oldu. Aradaki fark ise yer yer %2 ila %6 performans farkı var diye biliyorum.
850 EVO 3 farklı revizyon sürümüne sahip. Her yeni revizyonda NAND yongalarda iyileştirmeler mevcut. v1 revizyonunda 32 layer 3 bit 40 nm TLC 3D V-NAND bellekler kullanılmışken v2 ve v3 revizyonunda 48 layer 3 bit 40 nm TLC 3D V-NAND bellekler kullanılmış. Bu değişimler farklı boyuttaki 850 EVO'lar için de geçerli. 1 TB üstü modellerde yeni revizyonlarda bellek kontrolcüsü farkları da var.
Bunların hepsi V-NAND teknolojisini kapsıyor. Kutu üzerinde de yazacak detaylar değil. İyileştirme tabii ki olabilir, bu farklı yonga kullanıldığı anlamına gelmiyor.