8 GB RAM önerisi

Bütçe
700

xSatsujin

Hectopat
Katılım
27 Mayıs 2020
Mesajlar
679
Makaleler
1
Çözümler
1
Yer
Ankara
Anakart
B450M S2H
İşlemci
RYZEN 5 3500X
Bunu satıp, 2x8 kit alın. Aynısını alsanız bile uyumsuz olabilir. Zaten sıfırı da yok, ikinci el almak durumundasınız.
 
Aynısından takman daha mantıklı olabilir🤨
Malesef stokta bulamadım bunun benzeri bir tane var ama oda normal piyasanın çok üstünde.

Bunu satıp, 2x8 kit alın. Aynısını alsanız bile uyumsuz olabilir. Zaten sıfırı da yok, ikinci el almak durumundasınız.
3000-3200Mhz 1.35V aldığım sürece uyumsuz olacağını sanmıyorum. 2.El ürün satmak zor bu durumda.
 
Bunu satıp, 2x8 kit alın. Aynısını alsanız bile uyumsuz olabilir. Zaten sıfırı da yok, ikinci el almak durumundasınız.

Bu uyumsuzluk yapar mı? CL16, 1.35V
 
Bu uyumsuzluk yapar mı? CL16, 1.35V
Sendeki IC'yi bilmiyoruz ki.
Döküm atar mısın şu şekilde?
 
Sendeki IC'yi bilmiyoruz ki.
Döküm atar mısın şu şekilde?
Module Manufacturer:G.Skill
Module Part Number:F4-3000C16-8GVRB
Module Series:Ripjaws V Red
DRAM Manufacturer:Hynix
DRAM Components:H5AN4G8NBJR-TFC
DRAM Die Revision / Process Node:B / 21 nm
Module Manufacturing Date:Undefined
Module Manufacturing Location:Taipei, Taiwan
Module Serial Number:00000000h
Module PCB Revision:01h
PHYSICAL & LOGICAL ATTRIBUTES
Fundamental Memory Class:DDR4 SDRAM
Module Speed Grade:DDR4-2133P downbin
Base Module Type:UDIMM (133.35 mm)
Module Capacity:8 GB
Reference Raw Card:B0 (8 layers)
JEDEC Raw Card Designer:Micron Technology
Module Nominal Height:31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front:1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back:1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks:2
Address Mapping from Edge Connector to DRAM:Mirrored
DRAM Device Package:Standard Monolithic
DRAM Device Package Type:78-ball FBGA
DRAM Device Die Count:Single die
Signal Loading:Not specified
DRAM I/O Width:8 bits
Column Addressing:10 bits
Row Addressing:15 bits
Bank Addressing:2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing:2 bits (4 groups)
Programmed DRAM Density:4 Gb
Calculated DRAM Density:4 Gb
Number of DRAM components:16
DRAM Page Size:1 KB
Primary Memory Bus Width:64 bits
Memory Bus Width Extension:0 bits
DRAM Post Package Repair:Not supported
Soft Post Package Repair:Not supported
DRAM TIMING PARAMETERS
Fine Timebase:0.001 ns
Medium Timebase:0.125 ns
CAS Latencies Supported:9T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T, 18T,
19T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min):0.938 ns (1066.10 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max):1.500 ns (666.67 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min):13.500 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min):13.500 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min):13.500 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min):32.000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min):46.500 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min):260.000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min):160.000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min):110.000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min):3.700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min):5.300 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min):5.355 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min):21.000 ns
Maximum Active Window (tMAW):8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC):Unlimited MAC
DRAM VDD 1.20 V operable/endurant:Yes/Yes
Supply Voltage (VDD), Min / Typical / Max:1.16V / 1.20V / 1.26V
Activation Supply Voltage (VPP), Min / Typical / Max:2.41V / 2.50V / 2.75V
Termination Voltage (VTT), Min / Typical / Max:0.565V / 0.605V / 0.640V
THERMAL PARAMETERS
Module Thermal Sensor:Not Incorporated
SPD PROTOCOL
SPD Revision:1.0
SPD Bytes Total:512
SPD Bytes Used:384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh):CDFAh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh):27DEh (OK)
PART NUMBER DETAILS
JEDEC DIMM Label:8GB 2Rx8 PC4-2133P-UB0-10
FrequencyCASRCDRPRASRCRRDSRRDLCCDLFAW
1067 MHz191515355046623
1067 MHz181515355046623
1067 MHz161515355046623
1067 MHz151515355046623
933 MHz141313304445520
933 MHz131313304445520
800 MHz121111263835517
800 MHz111111263835517
667 MHz999223134414
INTEL EXTREME MEMORY PROFILES
XMP PARAMETERPROFILE 1PROFILE 2
Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enabled: Yes
Profile 2 (Extreme) Enabled: No
Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel
Speed Grade:DDR4-3004N/A
DRAM Clock Frequency:1502 MHzN/A
Module VDD Voltage Level:1.35 VN/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK):0.666 nsN/A
CAS Latencies Supported:16TN/A
CAS Latency Time (tAA):10.593 nsN/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD):11.761 nsN/A
Row Precharge Delay Time (tRP):11.761 nsN/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS):25.250 nsN/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC):37.204 nsN/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW):21.000 nsN/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S):2.585 nsN/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L):4.849 nsN/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1):260.000 nsN/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2):160.000 nsN/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4):110.000 nsN/A
 
Kesin olarak buna uyumlu bir şey yok. Çalışsa da, Dual Channel yapamazsınız ve %95 ihtimalle sorun çıkartacak. Satın ve attığım kiti alın.
 
Son düzenleyen: Moderatör:

Technopat Haberler

Yeni konular

Geri
Yukarı