O kadar yüksek voltaja gerek yok.
3800-14'ü 1.5V altında yapamazsın sıkı gecikmelerle. Ayrıca Samsung B-Die için 1.6V günlük kullanılabilir. Samsung B-Die'da en önemli şey 60 dereceyi geçmemesidir. 60 dereceyi geçmeyecek şekilde voltaj verip kullanabilir.
İşlemcinizin silikonunun bir önemi yok. Çünkü işlemci silikonuyla bellek kontrolcünün silikonu birbirinden farklıdır. Misal bellek kontrolcüsü kötü olup işlemci silikonu iyi olabilir, bellek kontrolcüsü iyi olup işlemci silikonu kötü olabilir veya her ikisi de iyi veya kötü olabilir.
FCLK'nin sınırını deneyerek bulmanız gerek. FCLK'yi esnetmenin yolları da SoC Voltage, VDDP Voltage, IOD Voltage ve VDDG Voltage'dır. Bu voltajların her birisinin belirli günlük kullanım değerleri vardır.
FCLK testi yapmadan önce sub-timingleri esnetmeni öneririm ki sorunun FCLK kaynaklı olduğunu görebil. Mesela bu RAM'in XMP'si 14-14-14-34 3600 MHz 1800 FCLK ya, bunu 1900 FCLK 3800 MHz deneyeceğin zaman gecikmeleri 18-20-20-40 gibi şişir. Baktın FCLK stabil, optimum gecikmeleri tekrar düşürerek elde edebilirsin.
B-Die'da voltaj ile ölçeklenen değerler var, şunlardır:
Bu gecikmeleri voltaj arttırdıkça düşürmen mümkün. Ama bin kapasitesine göre değişir. Mesela bin en fazla tRP 12'ye kadar düşecek potansiyeli vardır, 2V bile versen 11 yapamayabilirsin gibi. Yani voltaj verdim niye düşmedi dersen sebebi budur.
