Daha fazla
- Cinsiyet
- Erkek
- Meslek
- Technopat
- Profil Kapağı
- 1523300036
Samsung, Gate-All-Around (GAA) işlem tekniğiyle birlikte 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 azaltılmış güç kullanımı, %23 geliştirilmiş performans ve %16 daha küçük yüzey alanı sağlayacak. İkinci nesil 3nm işleminde ise bu değerler sırasıyla %50, %30 ve %35’e yükseltilecek. FinFET için sınırların sonuna gelen Koreli yarı iletken üreticisi, […]
Devamı: İlk GAA Transistörler: Samsung, 3nm Üretimine Başlıyor
Kaynak Technopat
Devamı için yukarıdaki bağlantıya tıklayın...
