Yazının başlarında da belirttiğimiz gibi TSMC’nin N3 üretim süreci, şirketin son FinFET yongaları olarak 2023’ün ilk yarısında, 2.5 yıllık bir ara sonrası kullanıma sunulacak. TSMC’nin açıklamaları, N5’ten N3’e geçildiğinde transistör yoğunluğunda 2 kata varan farkların görüleceğini söylese de, yapılan analizler tablonun çok daha farklı olduğunu gösteriyor.
Logic birimi, yani çekirdeklerin transistör yoğunluğu
1.7 oranında artarken, SRAM bölümündeki yoğunluk yalnızca
1.2 oranında artıyor.
Analog bölümünde ise herhangi bir
artış söz konusu bile değil. Sayılar hem açıklamalardan uzak, hem de SRAM gibi kritik bölümlerdeki yoğunluk artışları, önceki nesillere ve özellikle de rakiplere göre yetersiz.